[发明专利]超电导晶体管无效
| 申请号： | 89106453.2 | 申请日： | 1989-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1040463A | 公开（公告）日： | 1990-03-14 |
| 发明（设计）人： | 鸣海荣基;柏亨;松井正和 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L29/784 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 颜承根 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电导 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1、一种超电导晶体管，其特征在于在外延生长在基板上的氧化物超电导体层上配置源极、漏极，同时在上述两电极之间的超电导体层上经外延生长的绝缘膜配置门极，令上述超电导体层的厚度为dc、超电导体层的介电常数为ε、超电导体层的载流子浓度为n及对应于超电导体层的禁带宽度的电压为Vf，则超电导体层的厚度dc为：。
2、一种超电导晶体管，其特征在于在外延生长在基板上的氧化物超电导体层上配置源极、漏极，同时在该两极之间的超电导体层的两面上经外延生长的绝缘膜以对置方式配置门极，令上述超电导体层的厚度为dc、超电导体层的介电常数为ε、超电导体层的载流子浓度为n，及对应于超电导体层的禁带宽度的电压为Vf，则超电导体层的厚度dc为：
。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社，未经古河电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/89106453.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：杂环化合物
- 下一篇：苯并二烷胺衍生物的制备方法
