[发明专利]超工频起爆装置无效

专利信息
申请号: 89106777.9 申请日: 1989-08-29
公开(公告)号: CN1039896A 公开(公告)日: 1990-02-21
发明(设计)人: 刘汉敏;杨兰任;曹雪生 申请(专利权)人: 赣州有色冶金化工厂
主分类号: F42D1/05 分类号: F42D1/05
代理公司: 江西省专利服务中心 代理人: 喻尚威,郭显文
地址: 江西省赣州*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 超工频 起爆 装置
【权利要求书】:

1、一种起爆微型电磁雷管的超工频起爆装置,包括带射极跟随器的超工频振荡电路1、起爆控制电路2、远程起爆控制电路3、振荡显示电路4、辅助功率放大电路5、低压直流电源7和低压一高压逆变储能电路8,其特征在于:

1.1辅助功率放大电路5采用音频功率放大集成电路TDA2030配以反馈电阻R3接成同相放大器形式,且在前级起爆控制电路2的输出端与本级输入端隔直流电容C3之间串接耦合电阻R1,在隔直流电容C3与耦合电阻R1的接点与公共地线之间跨接一个由耦合电阻R2和高频旁路电容C2组成的并联支路;

1.2辅助功率放大电路5的负载为特制的脉冲输出变压器B,其初级绕组为Lo,次级绕组有4个,分别为L1、L2、L3、和L4,绕组L1、L3极性相同,与绕组L2、L4极性相反,绕组L2、L4极性相同,与绕组L1、L3极性相反;

1.3还设有高压同极性开关桥式推挽功率放大电路6,它由8个同极性NPN型高反压硅三极管BG1-8以及与它们相对应的8个集电极电阻R1C-8C、8个基极电阻R1b-8b、8个与各基极电阻并联的加速二极管D1-8以及脉冲输出变压器B的4个次级绕组L1-4,组成4个电路形式完全相同的单元电路作为4个桥臂连接成桥式电路,并由吸收电阻RH与通过母线连接的爆破网路等效总阻抗RFZ组成的并联支路作为桥式电路的负载,4个单元电路的具体接法如下:

硅三极管BG1、BG5集电极分别经集电极电阻R1c、R5c相连接,接点为M1,次级绕组L1的一端既与硅三极管BG1发射极相连接,又与硅三极管BG5发射极相连接,接点为N1,而另一端既经由基极电阻R1b和加速二极管D1组成的并联支路与硅三极管BG1基极相连接,又经由基极电阻R5b与加速二极管D5组成的并联支路与硅三极管BG5基极相连接,加速二极管D1、D5阳极分别接至硅三极管BG1、BG5基极;

硅三极管BG2、BG6集电极分别经集电极电阻R2c、R6c相连接,接点为M2,次级绕组L2的一端既与硅三极管BG2发射极相连接,又与硅三极管BG6发射极相连接,接点为N2,而另一端既经由基极电阻R2b和加速二极管D2组成的并联支路与硅三极管BG2基极相连接,又经由基极电阻R6b与加速二极管D6组成的并联支路与硅三极管BG6基极相连接,加速二极管D2、D6阳极分别接至硅三极管BG2、BG6基极;

硅三极管BG3、BG7集电极分别经集电极电阻R3c、R7c相连接,接点为M3,次级绕组L3的一端既与硅三极管BG3发射极相连接,又与硅三极管BG7发射极相连接,接点为N3,而另一端既经由基极电阻R3b和加速二极管D3组成的并联支路与硅三极管BG3基极相连接,又经由基极电阻R7b与加速二极管D7组成的并联支路与硅三极管BG7基极相连接,加速二极管D3、D7阳极分别接至硅三极管BG3、BG7基极;

硅三极管BG4、BG8集电极分别经集电极电阻R4c、R8c相连接,接点为M4,次级绕组L4的一端既与硅三极管BG4发射极相连接,又与硅三极管BG8发射极相连接,接点为N4,而另一端既经由基极电阻R4b和加速二极管D4组成的并联支路与硅三极管BG4基极相连接,又经由基极电阻R8b与加速二极管D8组成的并联支路与硅三极管BG8基极相连接,加速二极管D4、D8阳极分别接至硅三极管BG4、BG8基极;

而接点M1、M2都接至高压直流电源正端,接点N1、M4都接至吸收电阻RH与通过母线连接的爆破网路等效总阻抗RFZ组成的并联支路的一端,接点N2、M3都接至吸收电阻RH与通过母线连接的爆破网路等效总阻抗RFZ组成的并联支路的另一端,接点N3、N4都接至高压直流电源负端,高压直流电源由低压-高压逆变储能电路8提供。

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