[发明专利]一种透明半导体电热薄膜无效
申请号: | 89107751.0 | 申请日: | 1989-10-14 |
公开(公告)号: | CN1051059A | 公开(公告)日: | 1991-05-01 |
发明(设计)人: | 范砚英 | 申请(专利权)人: | 北京华岳电子技术开发公司 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;H05B3/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100081*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 半导体 电热 薄膜 | ||
1、一种透明半导体电热薄膜,它包括导电膜,衬底和电极,其特征在于生成粘着在衬底表面上的导电膜的原料配方重量百分比为:
SnCl2·2H2O 25%--30%
SbC13 0.4%--0.5%
CdC12 0.17%--0.34%
二甘醇丁醚醋酸酯 7%--11%
聚异丁烯 14.5%--16%
环已酮 2.8%--5%
无水乙醇 42%--45%。
2、如权利要求1所述的透明半导体电热薄膜,其特征在于生成的导电膜是SnO2薄膜。
3、如权利要求2所述的透明半导体电热薄膜,其特征在于SnO2,导电膜是由SnCL2·2H2O在衬底表面上进行高温水解生成的,温度范围是480℃-650℃。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理