[发明专利]一种制造可关断晶闸管的方法无效
| 申请号： | 89108019.8 | 申请日： | 1989-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1042272A | 公开（公告）日： | 1990-05-16 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·弗拉萨克 | 申请（专利权）人： | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/74 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,曹济洪 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 可关断 晶闸管 方法 | ||
1、一种制造可关断晶闸管的方法，在衬底(1)上用槽(16a，b)隔离出许多n型发射区(13)形成一个按n型基区层(11)和p型基区层(10)相叠顺序的多层结构，其特征在于：
(a)首先在紧靠p型基区层(10)的整个表面处形成一层含施主的预沉积层(9)；
(b)然后将预沉积层(9)用槽(16a，b)刻蚀出许多相互隔离的预沉积区(9a)；
(c)最后将预沉积层(9a)中的施主扩散到衬底(1)中去，形成n型发射区(13)。
2、按权利要求1的方法，其特征在于在预沉积区（9a）中的施主向衬底（1）扩散的同时，在带槽的衬底（1）的表面上形成一层覆盖层（12）。
3、按权利要求2的方法，其特征在于对Si衬底，覆盖层（12）由SiO2构成。
4、按权利要求3的方法，其特征在于
（a）预沉积层（9）扩散进衬底（1）的深度（t1）小于2μm;
（b）刻蚀槽（16a，b）的深度（t2）约等于或大于10μm;
（c）预沉积层（9a）中的施主扩散进衬底（1）的深度（t3）大于槽（16a，b）的深度（t2），这样形成一个n型发射区（13）。
5、按权利要求4的方法，其特征在于槽（16a，b）的深度（t2）约为10μm，n型发射区（13）的深度（t3）约为15μm。
6、按权利要求3的方法，其特征在于为制备阴极（14）和门极（15），分别在覆盖层（12）中对应于n型发射区（13）和槽（16a）的上方开出窗口。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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