[发明专利]借助自发渗透技术制备金属基质复合体的方法

权利要求书

1．一种制造金属基质复合体的方法，该方法包括：

提供(1)基质金属源，(2)贴近基质金属源的基本上非反应性的填料，(3)将渗透增强剂和渗透增强剂前体中的至少一种供给处于基质金属源与填料之间的至少一部分边界上，(4)允许或者增强基质金属自发渗透并且与填料和基质金属中的至少一种在渗透过程中至少一部分时间内相互接触的渗透气氛，

其温度高于基质金属自发渗透至少一部分填料的熔点，其中所述渗透增强剂前体包括至少一种不同于镁的材料。

2．权利要求1的方法，其中还包括将至少某些渗透增强剂供给基质金属、填料和渗透气氛中的至少一种的步骤。

3．权利要求1的方法，其中填料包含预型体。

4．权利要求1的方法，其中还包括借助阻挡元件限定填料的表面边界的步骤，其中基质金属自发渗透到达阻挡元件。

5．权利要求1的方法，其中自发渗透期间的温度高于基质金属的熔点，但低于基质金属的挥发温度与填料的熔点。

6．权利要求1的方法，其中基质金属含有铝，填料含有至少一种选自氧化物、碳化物、硼化物和氮化物的材料。

7．按照权利要求2的方法，其中渗透增强剂以固体材料的方式松散地被施用于所述金属源与所述填料之间的边界处。

8．权利要求1的方法，其中所述基质金属源含有一种基质金属的固体铸块，所述渗透增强剂以涂层的形式被施用于至少一部分铸块之上。

9．权利要求1的方法，其中所述填料含有预型体，所述渗透增强剂前体以涂层的形式被施用于至少一部分所述预型体之上。