[发明专利]使用合金阴模制备金属复合体的方法及由该方法生产的产品无效
申请号: | 89108084.8 | 申请日: | 1989-10-21 |
公开(公告)号: | CN1042498A | 公开(公告)日: | 1990-05-30 |
发明(设计)人: | 库尔特·J·贝克尔 | 申请(专利权)人: | 兰克西敦技术公司 |
主分类号: | B22D19/14 | 分类号: | B22D19/14;B22D19/02;C22C1/09;C22C1/10;C22C32/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 戴真秀 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 合金 阴模 制备 金属 复合体 方法 生产 产品 | ||
1、一种制备金属基质复合体的方法,该方法包括将在固体基质金属中形成一空穴;在空穴中放入基本非反应性填料;使填料变为基本符合空穴形状的自撑体;溶融基质金属;使熔融基质金属至少自发渗入部分填料。
2、根据权利要求1的方法,该方法还包括至少在渗透的一段时间内,提供一种渗透气氛,使其与填料和基质金属中至少一种接触的步骤。
3、根据权利要求2的方法,该方法还包括向基质金属,填料和渗透气氛中至少一种提供至少一种渗透增强剂前体和渗透增强剂中的物质的步骤。
4、根据权利要求1的方法,该方法还包括向基质金属和填料中的至少一种物质提供渗透增强剂前体和渗透增强剂中至少一种物质的步骤。
5、根据权利要求3的方法,其中至少一种渗透增强剂前体和渗透增强剂中的物质是由外界来源提供的。
6、根据权利要求1的方法,该方法还包括至少在渗透的一段时间内使至少部分填料与至少一种渗透增强剂前体和渗透增强剂中的一种物质接触的步骤。
7、根据权利要求3的方法,其中的渗透增强剂是由渗透增强剂前体与至少一种选自渗透气氛,填料和基质金属的物质反应形成的。
8、根据权利要求7的方法,在渗透期间,渗透增强剂前体挥发。
9、根据权利要求8的方法,其中挥发的渗透增强剂前体进行反应,在至少部分填料中形成反应产物。
10、根据权利要求9的方法,其中的反应产物至少是可被上述熔融基质金属部分还原的。
11、根据权利要求10的方法,其中的反应产物至少涂敷在部分填料上。
12、根据权利要求1的方法,该方法还包括用阻挡元件限制填料界表面的步骤,其中基质金属自发渗透到阻挡元件处。
13、根据权利要求12的方法,其中的阻挡元件包括一种选自石墨和二硼化钛的材料。
14、根据权利要求12的方法,其中的阻挡元件是基本不被上述基质金属润湿的。
15、根据权利要求12的方法,其中的阻挡元件至少含有一种使渗透气氛和至少一种基质金属,填料,渗透增强剂和渗透增强剂前体中的物质接触的金属。
16、根据权利要求1的方法,其中的填料含有至少一种选自粉,片,晶片,微球,晶须,泡,纤维,粒,纤维垫,切削纤维,球,球粒,管和耐火布中的物质。
17、根据权利要求1的方法,其中的填料在熔融基质金属中具有有限的溶解度。
18、根据权利要求1的方法,其中的填料至少含有一种陶瓷材料。
19、根据权利要求3的方法,其中的基质金属含铝,渗透增强剂前体至少含一种选自镁,锶和钙的物质,并且渗透气氛含氮气。
20、根据权利要求3的方法,其中的基质金属含铝,渗透增强剂前体含锌,并且渗透气氛含氧。
21、根据权利要求4的方法,其中在填料和基质金属之间的界面上至少提供一种渗透增强剂和渗透增强剂前体中的物质。
22、根据权利要求1的方法,其中的渗透增强剂前体在基质金属中合金化。
23、根据权利要求1的方法,其中基质金属含铝和至少一种选自硅,铁,铜,镁,铬,锌,钙,锰和锶的合金元素。
24、根据权利要求1的方法,其中在上述基质金属和填料中至少提供一种渗透增强剂前体和渗透增强剂中的物质。
25、根据权利要求3的方法,其中向基质金属,填料,和渗透气氛中至少一种物质中提供至少一种渗透增强剂前体和渗透增强剂中的物质。
26、根据权利要求1的方法,其中在自发渗透期间的温度高于基质金属的熔点,但是低于基质金属的挥发温度和填料的熔点。
27、根据权利要求2的方法,其中的渗透气氛含有选自氧气和氮气的一种气体。
28、根据权利要求3的方法,其中的渗透增强剂前体含有选自镁、锶和钙中的一种物质。
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