[发明专利]磁光记录介质

说明书

本发明涉及磁光记录介质，其基片与增强薄膜间的粘合优良，它具有优良的耐氧化性及磁光记录的特征。

现已知道磁光记录薄膜包括诸如铁和钴的过渡金属以及诸如铽（Tb）和钆（Gd）的稀土元素，磁光记录薄膜具有垂直于薄膜的磁化平顺轴并能形成一个与薄膜磁化逆平行的相反的小磁畴。用“1”或“0”来相应地表示相反磁畴的存在与否，这就可能在上述的这类磁光记录薄膜上记录数字信号。

如上所述，磁光记录薄膜包含这类过渡金属及稀土元素，例如在日本专利公报第20691/1982号中揭示了Tb-Fe系统的含有从15至30%（原子）的Tb。也可以使用加入了第三组分金属的Tb-Fe系统的磁光记录薄膜。此外，Tb-Co系统的磁光记录薄膜、Tb-Fe-Co系统的磁光记录薄膜或其同类的薄膜都是众所周知的。

虽然上述的这些磁光记录薄膜具有优良的记录重现性，但它们从实践出发仍涉及这样一个严重问题即在其一般的使用期间它们经过氧化，其特性随着时间而有所改变。

在这样的环境中，为了改进所述薄膜的耐氧化能力，可在Tb-Fe、Tb-Co或Tb-Fe-Co系统的磁光记录薄膜中加入诸如Pt，Ni，Al，Cr和Pb的金属（见Journalof    the    Society    of    Aplied    Magnetism    of    Japan    the    Proceedings    of    the    Nineth    Conference    of    the    Society    of    Applled    Magnetism    of    Japan的209页以及日本特开昭公报第255546/1986号）。

但是，在上述所提议的磁光记录薄膜中，仍然有这样一个问题即仅仅通过薄膜本身的改进来希望改进其耐氧化能力，这样就发现如果不使用很大的偏压磁场则就得不到充足的C/N比或高的C/N比（即它们对偏压磁场具有低的依赖性）。

现在，人们已知一种磁光记录介质在其塑料基片上是一层保护层然后是磁光记录层。例如日本专利特开昭第201546/1985号中揭示了磁光记录介质，它包括在聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或聚碳酸酯（PC）的塑料基片上有一层由硫化镉（CdS）组成的保护层以及在所述保护层上的记录层。进一步地，日本特开昭公报第202351/1986号揭示了一种具有记录层的磁光记录介质，该记录层处于一层在聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯基片上由诸如硒化锌（Zn    Se）的硒化合物形成的保护层的上面。

上面描述了一种在普通的塑料基片上叠合上保护层（增强薄膜）和磁光记录层的磁光记录介质，但是，其磁光记录特性的长期稳定性仍是不够的。

上述的磁光记录介质为什么不能保持其磁光记录特性长期稳定的原因被认为是由于这样的事实即因为通常使用的塑料基片是由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或聚碳酸酯（PC）组成的，其吸水性大，这促进了磁光记录薄膜氧化的速率，或是因为甲硅烷基诸如聚碳酸酯之类常规使用的基片不能很牢地粘附在增强薄膜上故它也就不能充分抑制磁光记录薄膜的氧化。

本发明者在上述信息的基础上进行研究，终于发现采用由乙烯和有特殊结构环烯烃的无规共聚物组成的基片并在基片和磁光记录薄膜间加入一层增强薄膜（保护层）所得到磁光记录介质具有优良的磁光记录特性的长期稳定性及在基片和保护层间的优良的粘合性。

此外，本发明者发现使两个磁光记录介质与基片相互叠合结果其基片处于相反的方向，这样可生产出具有上述优良特性的双面磁光记录介质，所述的基片由乙烯和具有特定结构的环烯烃的无规共聚物所组成，在基片和磁光记录薄膜间有一层特殊的增强薄膜（保护层）。

进一步地，本发明者发现在前述特殊基片上形成的增强薄膜上叠合上磁光记录薄膜可得到具有优良耐氧化性和优良的磁光记录特性的磁光记录介质，所述的记录薄膜包括（ⅰ）至少一个选自3d过渡金属的元素，（ⅱ）一种耐腐蚀金属以及（ⅲ）至少一个选自稀土元素的元素，所述的耐腐蚀金属含量是5至30%（原子）。

本发明试图解决上述现有技术中存在的种种问题，本发明的一个目的是提供一个在基片和增强薄膜间具有优良粘合性的磁光记录介质，此外，该磁光记录介质具有优良的耐氧化性及优良的磁光记录特性长期稳定性。

本发明的第一种磁光记录介质有一基片，在基片依次序叠合上一增强薄膜，一层磁光记录薄膜，所述的基片由环烯烃无规共聚物组合物组成，它包括