[发明专利]非易失性存储器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 89108268.9 申请日: 1987-03-31
公开(公告)号: CN1030593C 公开(公告)日: 1995-12-27
发明(设计)人: 凯利帕特纳姆·维维克·罗;吉姆斯·L·佩塔森 申请(专利权)人: 得克萨斯仪器公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L29/788;H01L21/82
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 景星光
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1、一种非易失性存储器单元,包括:

a.一晶体管沟道区;

b.一叠加在所述晶体管沟道区上并与该晶体管沟道区容性耦合的浮置栅;其特征在于:

c.一容性耦合到所说浮置栅的控制极通过一绝缘层容性耦合到所说的浮置栅时,该绝缘层具有垂直于所说的界面的最大局部偏差为其层厚度的10%。

2、根据权利要求1的所述说存储器单元,其特征在于所说的绝缘层具有垂直于所说的界面的最大局部偏差为其层厚度的80。

3、一种制造非易失性存储器单元的方法,包括下列各步骤:

(a)提供一种半导体衬底;

(b)在非易失性存储器晶体管预定的位置上,形成栅绝缘体;

其特征在于:

(c)在所说的非易失性存储器晶体管的预定位置上沉积的第一导电层含有50%~100%的非晶状(非多晶)的硅原子;

(d)在所说的第一导电层上沉积一层绝缘层;

(e)在上述的绝缘层上沉积第二导电层;

(f)在所说的非易失性存储器晶体管的预定位置上,对所说的第一和第二导电层制作图形,使所说的第一导电层形成一种浮置栅,所说的第二导电层形成一种控制极。

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