[发明专利]非易失性存储器及其制造方法无效
申请号: | 89108268.9 | 申请日: | 1987-03-31 |
公开(公告)号: | CN1030593C | 公开(公告)日: | 1995-12-27 |
发明(设计)人: | 凯利帕特纳姆·维维克·罗;吉姆斯·L·佩塔森 | 申请(专利权)人: | 得克萨斯仪器公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L29/788;H01L21/82 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 景星光 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
1、一种非易失性存储器单元,包括:
a.一晶体管沟道区;
b.一叠加在所述晶体管沟道区上并与该晶体管沟道区容性耦合的浮置栅;其特征在于:
c.一容性耦合到所说浮置栅的控制极通过一绝缘层容性耦合到所说的浮置栅时,该绝缘层具有垂直于所说的界面的最大局部偏差为其层厚度的10%。
2、根据权利要求1的所述说存储器单元,其特征在于所说的绝缘层具有垂直于所说的界面的最大局部偏差为其层厚度的80。
3、一种制造非易失性存储器单元的方法,包括下列各步骤:
(a)提供一种半导体衬底;
(b)在非易失性存储器晶体管预定的位置上,形成栅绝缘体;
其特征在于:
(c)在所说的非易失性存储器晶体管的预定位置上沉积的第一导电层含有50%~100%的非晶状(非多晶)的硅原子;
(d)在所说的第一导电层上沉积一层绝缘层;
(e)在上述的绝缘层上沉积第二导电层;
(f)在所说的非易失性存储器晶体管的预定位置上,对所说的第一和第二导电层制作图形,使所说的第一导电层形成一种浮置栅,所说的第二导电层形成一种控制极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的