[发明专利]用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法

权利要求书

1、一种用于GaAlAs隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法，用在二次液相外延生长中，仅需一槽源液且使之在晶片上只经过一次便可同时生成两个晶体层，其中下层为伴生高阻层，具有良好的侧向电流限制作用。本发明的特征在于：

（1）陪片（GaAs衬底片）和正片（台条刻蚀后的处延片）分别装入简单水平滑动石墨舟片托上的一、三两个槽中（顺源槽推动方向），两片之间有一个槽间距的空格。

（2）生长源液装在多槽滑动室的第二个源槽中（逆源槽推动方向），其前空一个加盖源槽。

（3）在炉温降至811℃,805℃和800℃这三个温度点上将生长源液依次推至陪片、空格和正片上，正片的生长时间为10～12分钟。

2、按照权力要求1所述的伴生高阻层生长方法，其特征在于降温生长前的熔源温度825℃，降温速率为每分钟1℃。

3、按照权力要求1所述的伴生高阻层生长方法，生长源液的配方为每克Ga中入42毫克的高纯GaAs多晶和2毫克的高纯A1。