[发明专利]含氯的硅氮烷聚合物的制备方法无效
申请号: | 89108959.4 | 申请日: | 1989-12-02 |
公开(公告)号: | CN1031274C | 公开(公告)日: | 1996-03-13 |
发明(设计)人: | 提罗·瓦斯;马塞路斯·皮尤克特;马丁·布鲁克 | 申请(专利权)人: | 赫彻斯特股份公司 |
主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60;C04B35/38 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张元忠 |
地址: | 联邦德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅氮烷 聚合物 制备 方法 | ||
1.含氯的硅氮烷聚合物的制备方法,其特征在于,使式(I)低聚硅氯烷(其中,a>0,b>0,n为2至12)与氯硅烷Cl2R4Si-CH2-CH2-SiR4Cl2,Cl3Si-CH2-CH2-SiR5Cl2,R6SiCl3或R7SiHCl2中至少一种在30℃至300℃时反应,其中取代基相互独立为:
R1,R2=H,C1—C6烷基或C2—C6链烯基
R3,R4,R5,R6,R7=C1—C6烷基或C2—C6链烯基
2.含氯的硅氮烷聚合物的制备方法,其特征在于,使式(I)的低聚硅氮烷(其中,n为2至12),与氯硅烷Cl2R4Si—CH2—CH2—SiR4Cl2,Cl3Si—CH2—CH2—SiR5Cl2,R6SiCl3或R7SiHCl2中至少一种在30℃至300℃时反应,其中取代基相互独立为:
R1,R2=H,C1—C6烷基或C2—C6链烯基,
R4,R5,R6,R7=C1—C6烷基或C2—C6链烯基并应排除与R7SiHCl2(如果R7=C1—C6烷基,并且没有其它氯硅烷存在)反应的可能性。
3.含氯的硅氮烷聚合物的制备方法,其特征在于,使由过量氨与由R1R2SiCl2和Cl2R3Si—CH2—CH2—SiR3Cl2组成的混合物在30℃至300℃时反应获得的低聚硅氮烷与氯硅烷Cl2R4Si—CH2CH2—SiR4Cl2,Cl3Si—CH2CH2—SiR5Cl2,R6SiCl3或R7SiHCl2中至少一种在30至300℃时反应,其中取代基相互独立为:
R1,R2=H,C1—C6烷基或C2—C6链烯基,
R3,R4,R5,R6,R7=C1—C6烷基或C2—C6链烯基。
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