[发明专利]读/写薄膜磁头及其制造方法

说明书

本发明涉及一种读/写薄膜磁头及其制造方法。

随着计算机系统应用的日益增加，对高密度存储媒体的需求也日益增加。于是为满足提高存储密度的要求，记录磁头应运而生。提高磁记录密度的一个方法是采用边缘场高强度和高度密集的读/写磁头。边缘场是伸出磁头两磁极之间形成的间隙或在该间隙外“镶边”的磁场。这种经改进的边缘场是通过缩小读/写磁头的尺寸特别是两磁极间的间隙来实现其改进目的的。

磁头的尺寸不断地缩小，这是采用了新技术使磁头的体积显著地减少。制造极小记录磁头的一个方法是采用薄膜工艺。用这种方法制造记录磁头与制造半导体集成电路的方法极其相似。通过一系列包括在一圆片上加掩模并有选择地淀积材料等工序可以制造出细微的读/写薄膜磁头。

但这种小型薄膜磁头却存在一系列问题：磁头对噪音信号的灵敏度高，此外因薄膜磁头与周围物质隔离开来而产生的杂散电容往往会限制采用薄膜磁头的磁存储系统的特性。特别是在读操作的过程中，薄膜磁头的特性有可能通过消除杂散电容和降低磁头对来自周围环境的噪音信号灵敏度等措施加以改善。

根据本发明的一个方面，本发明所提供的读/写薄膜磁头包括：一衬底;一薄膜磁芯，由该衬底支撑着，包括一读/写间隙，供读写信息之用;隔离件，使隔离衬底和磁芯之用;和一线圈，设在磁芯中且穿过磁芯延伸;读/写薄膜磁头的特征在于将衬底电连接到磁芯用的连接件。

在最佳实施例中的隔离件包括一夹在衬底与磁芯之间的隔离层。

连接件可包括例如铜制成的导电间柱。

衬底、磁芯和连接件的导电率最好比隔离层的大。

在例示的实施例中，磁芯包括淀积在隔离层上的第一磁性层，和第二磁性层，其中的第一和第二磁性层有：一第一区、一第二区和一第三区，第一和第二磁性层即在第一区的一通路处电连接起来，在第二区中装有线圈，第一和第二磁性层在第二区被隔离开来，也在第三区处被隔离开来并形成间隙。第二区可充以绝缘料，以便将第一磁性层与第二磁性层电绝缘起来。

连接件最好是在该通路上与磁芯接触。

根据本发明的另一个方面，本发明提供制造一种具有一薄膜磁芯和一衬底的读/写薄膜磁头的一种方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：在衬底上淀积导电间柱;和在导电柱上形成该磁芯，从而使导电柱夹在衬底与该磁芯之间，且与衬底及该磁芯电接触。

各附图举例说明了本发明的内容。附图中：

图1是本发明读/写薄膜磁头一部分的横向剖视剖视图;

图2至9举例说明了制造图1读/写头的各工序。

图1例示了本发明的读/写薄膜磁头。磁头10包括一基底或“跃起”衬底12和极片或磁芯14。衬底12可以由导电材料制成，例如ALSIMAG（商标）材料。一般说来，磁芯14是用磁性材料，例如铁合金，举例说Permalloy（商标，坡莫合金）的薄膜层。的薄膜层形磁芯14包括前上部分16和前下部分18。部分16和18形成上极端20和下极端22，两极端之间形成间隙24。磁芯14还包括后上部分26和后下部分28。磁芯14的部分16、18以及部分26、28在中心区或通路30处相交。

图1的磁头10采用两个由导体32、34形成的芯绕组。导体32、34呈线圈的形式绕在通路30上，其一部分夹在磁芯14的部分16与18之间，另一部分夹在磁芯14的部分26与28之间。隔离层36将磁芯14与衬底12隔离 开来，隔离层36本身是氧化铝（Al₂O₃）之类的电绝缘体。部分16、18与部分26、28之间充以电绝缘材料38。一般说来，绝缘材料38是个光致抗蚀剂。极端20、22之间的间隙24充以氧化铝。

从图1中还可以看到导电柱40通过衬底12与磁芯14的通路30之间的基底覆盖层36延伸。导电柱40通过通路30和衬底12与磁芯14电接触。一电路经由导电柱40在磁芯14与衬底12之间形成。

制造过程中，可以遍布衬底12的整个表面淀积多个与磁头10类似的磁头。各层磁头10如图1所示的那样淀积好之后，将衬底12切割成一个个的小片磁头，各磁头都装设在衬底12的一部分，使极端20、22和间隙24都暴露出来。各磁头的间隙24和极端20、22可以沿通常是向里的方向朝磁头的中心按所要求的尺寸研磨。研磨过程是个磨光过程，即令间隙24的暴露部分涂以金刚石浆液。往导体32、34上加电接点（图中未示出），然后将完工的磁头连接到某种在磁存储媒体（例如数据存储盘）上读写数据用的装载固定件上。