[发明专利]制取硅单晶的设备无效
| 申请号： | 89109188.2 | 申请日： | 1989-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1019031B | 公开（公告）日： | 1992-11-11 |
| 发明（设计）人： | 神尾宽;岛芳延 | 申请（专利权）人： | 日本钢管株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/12 | 分类号： | C30B15/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 林道棠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制取 硅单晶 设备 | ||
【权利要求书】：
1、一种制取硅单晶的设备，其中盛装熔融硅料的旋转石英坩锅被其上形成有至少一个贯穿小孔的分隔构件以这样的方式分开，使旋转拉出的、直径为12-30厘米的大圆柱形硅单晶被该分隔构件包围着，并且，在硅原料连续地馈送到所述分隔构件的外侧的同时，所述熔融物料可以平稳地移动，所述硅单晶在所述分隔构件内部生长，其改进之处在于所述分隔构件的全部或一部分由泡沫石英玻璃制成，所述分隔构件的泡沫石英玻璃部分由气泡含量(体积百分比)不小于0.01%和不大于15%的泡沫石英玻璃制成。
2、按权利要求1所述的设备，其特征在于所述分隔构件的与所述熔融硅料相接触的部分由泡沫石英玻璃制成，其余部分由透明石英玻璃制成。
3、按权利要求1或2所述的设备，其特征在于所述分隔构件的泡沫石英玻璃部分由气泡含量（体积百分比）小于0.01%的泡沫石英玻璃制成，并且通过用于熔化初始装入所述坩锅内的硅原料的热量使所述气泡含量（体积百分比）增加到不小于0.01%和不大于15%。
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