[发明专利]聚降冰片烯半固化片层压到导电表面上的方法及其层压板无效
申请号: | 89109476.8 | 申请日: | 1989-12-23 |
公开(公告)号: | CN1043662A | 公开(公告)日: | 1990-07-11 |
发明(设计)人: | 乔治·M·伯尼迪克特;大卫·M·阿莱克萨;林伍·P·泰尼 | 申请(专利权)人: | B·F·谷德里奇公司 |
主分类号: | B32B15/08 | 分类号: | B32B15/08;H05K3/38 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 樊卫民 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冰片 固化 层压 导电 表面上 方法 及其 层压板 | ||
1、制备层压制件的方法,它包括将聚降冰片烯半固化片和导电的表面固定在一起的阶段。
2、权利要求1的方法,其中所述的固定阶段是在约700psi的压力下由室温至250℃的温度区间内进行的;聚降冰片烯半固化片是这样制得的,即将一非纤维素基底放入由聚降冰片烯组成的溶液中浸渍,从而使至少有一部分基底涂有聚降冰片烯,然后干燥已涂覆的基底以得到聚降冰片烯半固化片。
3、权利要求2的方法,其中C2-4的聚烯烃粉末加入此浸渍浴中,其中聚降冰片烯对聚烯烃粉末的重量比为40∶60至90∶10,其目的是降低聚降冰片烯半固化片的介电常数。
4、权利要求1的方法,该方法还包括将C2-4的聚烯烃薄膜固定于聚降冰片烯半固化片和导电表面之间的阶段,以改善它们间的粘接力。
5、权利要求1的方法,该方法包括将一环氧树脂半固化片固定在聚降冰片烯半固化片和/或导电表面上。
6、权利要求5的方法,其中所述的导电表面中至少有一面是粗糙结构,而且至少有一面上带有氨基硅烷偶联剂。
7、权利要求6的方法,其中所述的偶联剂基本上可从下列一组化合物中选取,它们是3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙氨基)-丙基三甲氧基硅烷盐酸化物、3-(N-烯丙基-2-氨基乙氨基)-丙基三甲氧基硅烷盐酸化物、N-(苯乙烯基甲基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸化物、N-2-氨基乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苄基-2-氨基乙氨基)-丙基三甲氧基硅烷盐酸化物以及它们的混合物。
8、权利要求5的方法,其中浸渍浴中的固体含量为10至40%(重量)且在浸渍浴中含有有效量的自由基固化剂。
9、权利要求5的方法,该方法还包括至少将导电表面的一面暴露于光敏树脂成像条件下并腐蚀表面,以使表面上形成图形。
10、权利要求2的方法,其中聚降冰片烯可从下列化合物的聚合物中选取,它们是双环戊二烯、甲基降冰片烯、甲基四环十二碳烯,乙烯基降冰片烯以及它们的混合物,其中固定阶段是在高于聚降冰片烯的玻璃化温度下完成的,其中所用的基底是玻璃纤维。
11、层压制件,它是由不少于一个聚降冰片烯半固化片和不少于一个导电表面(它固定于上述聚降冰片烯半固化片上)所构成,所说的聚降冰片烯半固化片是由一非纤维素基底及涂在其表面上的聚降冰片烯所构成。
12、权利要求11的层压制件,其中所述的导电表面在其表面上有一种硅烷偶联剂。
13、权利要求12的层压制件,该制件包括有C2-4的聚烯烃薄膜插在上述导电表面和上述聚降冰片烯半固化片之间。
14、权利要求12的层压制件,该制件在所述的涂层中含有C2-4的聚烯烃颗粒,其中聚降冰片烯与聚烯烃的重量比在40∶60至90∶10的范围内。
15、权利要求12的层压制件,该制件包括有不少于1个环氧树脂半固化片。
16、权利要求15的层压制件,其中所述的环氧树脂半固化片是被固定于上述的导电表面上。
17、权利要求12的层压制件,其中所述的环氧树脂半固化片是被固定于上述的聚降冰片烯半固化片上,且其中所说的环氧半固化片或上述的聚降冰片烯半固化片或者两者的上面都有硅烷偶联剂。
18、权利要求12的层压制件,其中所述的硅烷偶联剂基本上可从下面一组化合物中选取,它们是3-甲基丙烯酰基氧丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙氨基)-丙基三甲氧基硅烷盐酸化物、3-(N-烯丙基-2-氨基乙氨基)-丙基三甲氧基硅烷盐酸化物、N-(苯乙烯基甲基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸化物、N-2-氨基乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苄基-2-氨基乙氨基)-丙基三甲氧基硅烷盐酸化物,以及它们的混合物,其中所述的聚降冰片烯可从下列化合物的聚合物中选取,它们是二环戊二烯、甲基降冰片烯、甲基四环十二碳烯、乙烯基降冰片烯和它们的混合物;所述的基底是非纤维素的玻璃纤维;所述的导电表面是具有粗糙表面结构的腐蚀的铜。
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