[实用新型]一种离子检测探头无效
申请号: | 89203541.2 | 申请日: | 1989-04-01 |
公开(公告)号: | CN2052536U | 公开(公告)日: | 1990-02-07 |
发明(设计)人: | 崔成烈 | 申请(专利权)人: | 北京哈尼传感技术联合开发公司 |
主分类号: | G01N27/27 | 分类号: | G01N27/27 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 北京市9*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 离子 检测 探头 | ||
本实用新型涉及一种由离子敏场效应器件组装、用于离子检测装置的检测探头。特别涉及一种用于高稳定离子检测装置的检测探头。
现有离子检测装置的检测探头只包含离子敏场效应器件与参比电极以及它们的基座和引接线,不包含探测温度的元器件及其基座与引接线。然而,检测液的温度变化往往会对检测结果产生直接影响,对于高稳定的离子检测装置均要求实现精确的温度补偿或修正,要求设置测量检测液温度的元器件,特别是需要有与离子敏场效应器件紧密设置在一起的测温元器件,而现有的离子检测探头是无法满足此种要求的。
为了克服现有技术的缺陷,本实用新型离子检测探头将离子敏场效应器件、热敏元器件与参比电极三者以及它们的引接线设置在同一探头基座内,并使所有这些引接线相互电隔绝,经基座的一端引出后组成一束可与离子检测装置主机连接的电缆。
在本实用新型的一项实施例中用半导体二极管作热敏器件,并使此热敏二极管与离子敏场效应器件集成在同一半导体芯片上。
图一为本实用新型离子检测探头一项实施例的剖面示意图。由一个离子敏场效应器件与一个半导体二极管集成在一起的一块半导 体芯片(3)被固定在探头基座(1)敞口探测端(2)的内壁上。图二示出此半导体芯片及其引接线端的俯视示意图。在固定半导体芯片的同一侧基座内壁上还固定有四根金属键条(5),它们各自的一端 分别与离子敏场效应器件的源极(14)与漏极(15)以及二极管的两极(16,17)通过内引线(18)相互键连,金属键条各自的另一端(6)则与探头的外引线(7)焊连。图三为半导体芯片与键连引线以及保护涂层的剖面示意图,保护涂层(4)涂复了除场效应器件敏感栅区(19)之外的全部半导体芯片表面以及与其相连的裸露引接线。一个包含参比液(8)与参比电极(9)的可封闭参比电极管腔(10)与上述四条金属键条并列设置在探头基座上,在管腔(10)一端设置的多孔陶瓷片(11)与探头的敞口探测端(2)通连,另一端的参比电极引线(12)与探头的其它引出线合股组成连接电缆(13)。
本实用新型离子检测探头不仅增加了检测温度的功能,而且因其结构紧凑而兼有方便操作的优点。
附图说明
图一为本实用新型离子检测探头一项实施例的剖面示意图。其中1为探头基座,2为敞口探测端,3为半导体芯片,4为保护涂层,5为金属键条,6为金属键条的引出端,7为外引线,8为参比液,9为参比电极,10为参比电极管腔,11为多孔陶瓷片,12为参比电极引线,13为连接电缆。
图二为半导体芯片及其引接线端的俯视示意图。其中1为探头基座,3为半导体芯片,5为金属键条,14为离子敏场效应器件的源极,15为离子敏场效应器件的漏极,16为二极管的一个电极,17为二极管的另一电极,18为内引线,19为场效应器件的敏感栅区。
图三为半导体芯片与键连引线以及保护涂层的剖面示意图。其中1为探头基座,3为半导体芯片,4为保护涂层,5为金属键条,18为内引线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京哈尼传感技术联合开发公司,未经北京哈尼传感技术联合开发公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/89203541.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:货驳舵杆分合器
- 下一篇:工作直径可调的弹子锁型足铐