[实用新型]高清晰度电视摄象管的靶无效
申请号: | 89205356.9 | 申请日: | 1989-09-01 |
公开(公告)号: | CN2054570U | 公开(公告)日: | 1990-03-14 |
发明(设计)人: | 阮宝崧 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01J29/41 |
代理公司: | 东南大学专利事务所 | 代理人: | 楼高潮,沈廉 |
地址: | 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清晰度 电视 象管 | ||
本实用新型是一种采用快电子扫描的电视摄象管的靶,属于电真空器件及电视摄象管技术领域。
现有的电视摄象管具有两种工作模式,一种是快电子扫描,另一种是慢电子扫描。两种工作模式的电视摄象管各有特点,但均有不足之处。慢电子扫描靶前的电场对二次电子是加速场,二次放射电子全部可达收集极,故电位起伏较深,不足之处是电子散焦严重、快电子扫描,电子聚焦较好,但靶前的电场对二次电子是减速场,故电位起伏较浅。
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种采用快电子扫描的工作模式,而又具有慢电子扫描优点的高清晰度电视摄象管。
本实用新型由靶网(1)、靶面(2)和信号板(3)组成,其特点是在靶面(2)的表面上设有一层高二次放射系数的介质膜(4)。介质膜采用高二次放射系数的材料涂敷而成。如图2所示,靶面由若干个彼此绝缘的光电二极管构成,P极与信号板相连,N极表面涂敷一层高二次放射系数的材料。当通过靶网的高能电子轰击时,由于N极表面材料的二次放射系数远大于1,将使N极带正电,使其电位比P极高,相当于PN结加反向偏压,随着电子束的不断轰击,N极的电位不断升高,当PN结上的电位差达到击穿电压VB时,PN结的反向电流很快增加,此时靶面的电位固定而不再继续增加。为了控制一定的靶面电位,则可通过控制PN结的击穿电压来实现。例如采用图2所示的电压,靶网为1500伏,P极电位为1450伏,假定PN结的击穿电压VB=25伏,则靶面的电位比靶网低25伏,形成二次放射电子的加速场,使二次电子能进入靶网,避免其成为信号的干扰因素,提高摄象管的清晰度。
本实用新型采用快电子扫描,同时又具有慢电子扫描的特点,因而是实现高清晰度电视摄象管较理想的模式,具有分辨高,惰性小,结构简单,制作方便等优点。
图1是本实用新型的结构示意图;图2是半导体硅靶面的结构示意图;图3是硫化锑靶面的结构示意图。
本实用新型可采用如下方式实现:采用如图1所示的结构,在靶面表面涂敷一层厚度为(0.5~5)μm的高二次放射系数材料的介质膜。
实施例1:在光电二极管陈列的靶面中,按照图2所示的结构制成PN结,靶面上蒸一层氧化镁介质膜(5),其二次放射系数为4~12,采用300~800伏的电子扫描靶面,就可建立本实用新型的工作模式。
实施例2:在硫化锑靶面上,按图3所示的结构蒸涂一层氧化镁或氟化钙介质膜(6),电子束的电压为300~400伏时,利用硫化锑的反向漏电流,就可建立本实用新型的工作模式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的