[实用新型]一种氢气检测装置无效

专利信息
申请号: 89208773.0 申请日: 1989-06-28
公开(公告)号: CN2051739U 公开(公告)日: 1990-01-24
发明(设计)人: 徐永祥 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00
代理公司: 中国科学院专利事务所 代理人: 卢纪
地址: 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 氢气 检测 装置
【权利要求书】:

1、一种用半导体氢敏传感器组装的氢气检测装置,其特征在于它包括一个由钯栅MOS器件与无钯层金属栅MOS器件组成的互补氢气检测电路以及一个由测温元件与加热元件组成的温度控制电路两个主要部分,并由互补氢气检测电路的输出端作为检测装置的输出端。

2、按照权利要求1所述氢气检测装置,其特征为:所述互补氢气检测电路是由直流恒流源向漏极(或源极)共同接地的所述钯栅MOS器件与无钯层金属栅MOS器件分别提供恒定的沟道电流,使所述两个MOS器件源极(或漏极)间的互补电压输往一个仪表放大器,并以仪表放大器的输出端作此互补氢气检测电路的输出端。

3、按照权利要求1所述氢气检测装置,其特征为:所述钯栅MOS器件、无钯层金属栅MOS器件、测温元件与加热元件是被集成在一块硅芯片上的高稳定半导体氢敏传感器。

4、按照权利要求1与3所述氢气检测装置,其特征为:所述测温元件就是一个测温二极管,所述加热元件就是加热电阻。

5、按照权利要求1、3与4所述氢气检测装置,其特征为:所述温度控制电路是由恒流直流源提供所述测温二极管的正向电流,以此测温二极管正向压降的变化通过一个运算放大器控制一个共发射极双极晶体管的基极电位,从而调节流经所述加热电阻的集电极电流。

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