[实用新型]耐高电压的场效应功率晶体管固体组件无效
| 申请号： | 89212001.0 | 申请日： | 1988-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN2068725U | 公开（公告）日： | 1991-01-02 |
| 发明（设计）人： | 谭金发 | 申请（专利权）人： | 谭金发 |
| 主分类号： | H01L25/11 | 分类号： | H01L25/11;H01L29/784 |
| 代理公司： | 湖南省衡阳市专利事务所 | 代理人： | 杨代祯 |
| 地址： | 湖南省衡阳市黄*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 场效应 功率 晶体管 固体 组件 | ||
【权利要求书】：
1、一种耐高电压的场效应功率晶体管固体组件，其特征在于：它是由(N+1)个(N为大于1的整数)VMOS增强型场效应功率晶体管T1～TN+1依次串联起来，(N+1)个均压电阻R1～RN+1也依次串联起来，N对电阻R11和R12，R21和R22，……RN1和RN2它们也分别串联起来，按照(1)将电阻R11和R12的串联点，R21和R22的串联点，……RN1和RN2的串联点分别接到T1的栅极(C1)、T2的栅极(C2)，……TN的栅极(CN)各点上；(2)将电阻R11、R21……RN1的一端分别对应地接到(N+1)个依次串联的均压电阻R1～RN+1的N个串联节点(A1)、(A2)、……(AN)上；(3)将电阻R12、R22、……RN2的一端分别对应地接到(N+1)个依次串联的VMOS增强型场效应功率晶体管T1～TN+1的N个串联节点(B1)、(B2)、……(BN)上的方法连接它的内部连线；以T1的漏极作为该固体组件的等效漏极；以TN+1的栅极作为该固体组件的等效栅极，以TN+1的源极作为该固体组件的等效源极。
2、如权利要求1所述的耐高电压的场效应功率晶体管固体组件，其特征在于：均压电阻R1～RN＋1的电阻值应与单个VMOS增强型场效应功率晶体管T1～TN＋1的实际耐压大致成正比。
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