[发明专利]自支承陶瓷体的制备方法无效
申请号: | 90100133.3 | 申请日: | 1990-01-11 |
公开(公告)号: | CN1022102C | 公开(公告)日: | 1993-09-15 |
发明(设计)人: | 戴尼·雷·怀特;苔利·戴尼斯·克拉尔 | 申请(专利权)人: | 兰克西敦技术公司 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B35/60 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 王杰 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支承 陶瓷 制备 方法 | ||
1、一种生产包含至少一种母体金属含硼化合物的自支承体的方法,该方法包括:选自母体金属,该母体金属包括至少一种选自铝、锆、硅、钛、铪、镧、铁、钙、钒、铌、镁、钽、铬、钼、钨和铍的金属;
在基本上呈惰性的气氛中将所述的母体金属加热至高于其熔点的温度以便形成熔融母体金属体;
使所述熔融母体金属体与含有氮化硼的可渗透块料相接触;
保持所述温度足够长的时间以便使熔融母体金属渗透所述可渗透块料并且使所述熔融母体金属与所述氮化硼反应从而形成至少一种含硼化合物;
使上述渗透反应继续进行足够长的时间以便制备包含至少一种母体金属含硼化合物的自支承体。
2、一种生产包含至少一种母体金属含氮化合物的自支承体的方法,该方法包括:
选择母体金属,该母体金属包括至少一种选自铝、锆、硅、钛、铪、镧、铁、钙、钒、铌、镁、钽、铬、钼、钨和铍的金属;
在基本上呈惰性的气氛中将所述的母体金属加热至高于其熔点的温度以便形成熔融母体金属体;
使所述熔融母体金属与含有氮化硼的可渗透块料相接触;
保持所述温度足够长的时间以便使熔融母体金属渗透所述可渗透块料并且使所述熔融母体金属与所述氮化硼反应从而形成至少一种含氮化合物;
使上述渗透反应继续进行足够长的时间以便制备包含至少一种母体金属含氮化合物的自支承体。
3、一种生产包含至少一种母体金属含硼化合物和至少一种母体金属含氮化合物的方法,该包括:
选择母体金属,该母体金属包括至少一种选自铝、锆、硅、钛、铪、镧、铁、钙、钒、铌、镁、钽、铬、钼、钨和铍的金属;
在基本上呈惰性的气氛中将所述的母体金属加热至高于其熔点的温度以便形成熔融母体金属体;
使所述熔融母体金属与含有氮化硼的可渗透块料相接触;
保持所述温度足够长的时间以便使熔融母体金属渗透所述可渗透块料并且使所述熔融母体金属与所述氮化硼反应从而形成至少一种含硼化合物与至少一种含氮化合物;
使上述渗透反应继续进行足够长的时间以便制备包含至少一种母体金属含硼化合物与至少一种母体金属含氮化合物的自支承体。
4、一种生产自支承体的方法,该方法包括:
选择母体金属,该母体金属包括至少一种选自铝、锆、硅、钛、铪、镧、铁、钙、钒、铌、镁、钽、铬、钼、钨和铍的金属;
在基本上呈惰性的气氛中将所述的母体金属加热至高于其熔点的温度以便形成熔融母体金属体;
使所述熔融母体金属与含有氮化硼和至少一种选自碳化硼、硼给予体和碳给予体的原料的可渗透块料相接触;
保持所述温度足够长的时间以便使熔融母体金属渗透所述可渗透块料并且使所述熔融母体金属与所述可渗透块料反应。
使上述渗透反应继续进行足够长的时间以便制备所述自支承体。
5、按照权利要求4所述的方法,其中所述可渗透块料还包含至少一种填料。
6、按照权利要求4所述的方法,其中所述可渗透块料被制成预型体。
7、按照权利要求4所述的方法,其中所述自支承体包含至少一种含残余母体金属的金属相。
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