[发明专利]晶片中的挠性构件及其制造方法

权利要求书

1、在一种由具有上下表面(64，66，142，146)的晶片(62)制造的传感器中，传感器包括一个枢轴式地连接到第二部件(126，132)上的第一部件(124，130)，传感器的改进包括将第一部件连接到第二部件上的第一和第二挠性构件(108，118)，该挠性构件使第二部件能够围绕一个共同的枢轴(128)相对于第一部件转动，第一挠性构件在一个对晶片上表面比对晶片下表面更接近的位置上连接第一部件，并在一个对晶片下表面比对晶片上表面更接近的位置上连接第二部件，第二挠性构件在一个对晶片下表面比对晶片上表面更接近的位置上连接第一部件，并在一个对晶片上表面比对晶片下表面更接近的位置上连接第二部件。

2、如权利要求1的改进，其中，第一和第二挠性构件位于开口（120）的相对两侧，开口（120）在晶片的上下表面之间穿过晶片延伸。

3、如权利要求2的改进，其中，每个挠性构件大体上是平的，并且是由两条沟槽（100，102，110，112）之间的晶片材料形成的，该两条沟槽分别被蚀刻在晶片的上下表面内。

4、如权利要求3的改进，其中晶片包括硅材料，而且其中上下表面平行于100晶面。

5、如权利要求4的改进，其中共用枢轴平行于110晶面，其中每个沟槽具有一个V形截面，截面位于与枢轴相垂直的平面中。

6、一种处理具有上下表面（14，16，64，66）的晶片（12，62）以便产生挠性地连接到晶片第二部分（54，126）上的晶片第一部分（52，124）的方法，该方法包括：

在晶片上表面内蚀刻一个第一沟槽（40，100），第一沟槽具有一个第一纵轴（30），蚀刻第一沟槽的步骤包括在第一平面的一侧除去晶片材料，该第一平面平行于第一纵轴并以一个锐角与上表面相交;以及

在晶片下表面内蚀刻一个第二沟槽（42，102），第二沟槽具有一个第二纵轴（32），蚀刻第二沟槽的步骤包括在第二平面的一侧除去晶片材料，该第二平面平行于第二纵轴并以一个锐角与下表面相交，第一和第二沟槽的位置和深度是这样选择的，使得第一和第二平面之间的晶片区段形成一个使晶片的第一和第二部分彼此连接的挠性构件（50，103）。

7、如权利要求6的方法，其中，挠性构件在一个对晶片上表面比对晶片下表面更接近的位置上连接第一部件，并在一个对晶片下表面比对晶片上表面更接近的位置上连接第二部件，而且其中该方法包括下列步骤：

在晶片的第一表面内蚀刻一个第三沟槽（110），第三沟槽具有一个第三纵轴，蚀刻第三沟槽的步骤包括在第三平面的一侧除去晶片材料，该第三平面平行于第三纵轴并以一个锐角与第一表面相交;

在晶片的第二表面内蚀刻一个第四沟槽（112），第四沟槽具有一个第四纵轴，蚀刻第四沟槽的步骤包括在第四平面的一侧除去晶片材料，该第四平面平行于第四纵轴并以一个锐角与第二表面相交，第三和第四沟槽的位置和深度是这样选择的，使得第三和第四平面之间的晶片区段形成一个使晶片的第一和第二部分彼此连接的第二挠性构件（118），该第二挠性构件在一个对晶片下表面比对晶片上表面更接近的位置上连接第一部件，并在一个对晶片上表面比对晶片下表面更接近的位置上连接第二部件：以及

上述第一挠性构件和第二挠性构件是这样定位的，使得晶片的第一部分可以围绕一个共同的枢轴（128）相对于晶片的第二部分转动。

8、如权利要求7的方法，包括蚀刻一个在上下表面之间在挠性构件之间延伸的开口（120）的其它步骤。