[发明专利]真空断路器的触点成型材料

权利要求书

1、一种用于真空断路器的触点成型材料，具有一包括Cu的高导电成分和一耐电弧成分，其特征在于：重量在25%至65%的含有Ag和Cu的高导电成分；以及选自含有Ti，V，Cr，Zr，Mo，W及它们的碳化物和硼化物以及它们的混合物的物质组的重量在35%至75%的所述耐电弧成分；

所述的高导电成分包括(1)由厚度或宽度不超过5微米和第一不连续相和围绕第一不连续相的第一基体组成的第一高导电成分区，和(2)由厚度或宽度至少为5微米的第二不连续相和围绕第二不连续相的第二基体组成的第二高导电成分区，其中所述的在第一高导电成分区的第一不连续相以不超过5微米的间隙在所述的第一基体中精细而均匀地扩散，其中的相对于总高导电成分的第二高导电成分区的数量在10%至60%的重量百分比范围内；

2、如权利要求1所述的用于真空断路器的触点成型材料，其特征在于，Ag相对于所述高导电成分Ag和Cu的总数量的百分比，〔Ag/（Ag+Cu）〕，为40%至80%的重量百分比。

3、如权利要求1所述的用于真空断路器的触点成型材料，其特征在于，形成第一和/或第二高导电成分区的不连续相和基体的组成为（1）如高导电成分的基体是溶解有Cu的Ag的固态溶体，则不连续相为含有溶解有Ag的Cu固态溶体，或（2）如高导电成分的基体是溶解有Ag的Cu固态液体，则不连续相为含有溶解Cu的Ag固态溶体。