[发明专利]记录头和记录装置

权利要求书

1、一种具有排放墨汁的排放口的墨汁喷射记录头，包括：

产生用于排放墨汁的热能的电/热转换元件，和形成在一块半导体基片上，与该电/热转换元件电连接的晶体管元件，其特征是晶体管元件的基极与集电极短路，并与电/热转换元件电连接。

2、按照权利要求1的记录头，其特征是，上述晶体管元件是NPN型晶体管。

3、按照权利要求1的记录头，其特征是，上述晶体管元件是PNP型晶体管。

4、按照权利要求1的记录头，其特征是，上述晶体管元件被形成在N型半导体基片上用外延生长法形成的半导体区域内。

5、按照权利要求1的记录头，其特征是，上述晶体管元件被形成在N型半导体基片上的一个半导体区域内，其四周被包括N型半导体的隔离区包围，并且上述隔离区保持正电位。

6、按照权利要求1的记录头，其特征是，上述晶体管元件被形成在杂质浓度在1×10¹²至1×10¹⁶厘米^-3范围内的N型半导体基片上。

7、按照权利要求1的记录头，其特征是，上述电/热转换元件是在形成了晶体管元件的半导体区域上通过一层绝缘膜以薄膜形式形成的。

8、按照权利要求1的记录头，其特征是，装有许多上述电/热转换元件和许多上述晶体管元件，并连接成矩阵。

9、一种墨汁喷射记录装置，它具有一个滑动架，在该滑动架上装有按照权利要求1的记录头，以及记录媒质的输送装置，

其特征是，上述墨汁喷射记录装置具有给记录头的半导体基片施加偏置电压的偏压装置。

10、一种具有排放墨汁的排放口的墨汁喷射记录头，包括：

产生用于排放墨汁的热能的电/热转换元件，和形成在一块半导体基片上，与该电/热转换元件电连接的晶体管元件，其特征是，

晶体管元件的基极与集电极短路，晶体管元件的发射极与电/热转换元件电连接。

11、按照权利要求10的记录头，其特征是，上述晶体管元件是NPN型晶体管。

12、按照权利要求10的记录头，其特征是，上述晶体管元件是PNP型晶体管。

13、按照权利要求10的记录头，其特征是，上述晶体管元件被形成在P型半导体基片上，用外延生长法形成的半导体区域内。

14、按照权利要求10的记录头，其特征是，上述晶体管元件被形成在P型半导体基片上的一个半导体区域内，其四周被包括P型半导体的隔离区包围，并且上述隔离区保持地电位。

15、按照权利要求10的记录头，其特征是，上述晶体管元件被形成在杂质浓度在1×10¹²至1×10¹⁶厘米^-3范围内的P型半导体基片上。

16、按照权利要求10的记录头，其特征是，上述电/热转换元件是在形成了晶体管元件的半导体区域上通过一层绝缘膜以薄膜形式形成的。

17、按照权利要求10的记录头，其特征是，装有许多上述电/热转换元件和许多上述晶体管元件，并连接成矩阵。

18、按照权利要求10的记录头，其特征是上述晶体管元件包括：

一个包含杂质浓度为1×10¹⁹厘米^-3或更高的N型半导体的埋入区;以及

一个包含杂质浓度在1×10¹³至1×10¹⁵厘米^-3范围内的P型半导体的基极区。

19、一种墨汁喷射记录装置，它具有一个滑动架，在该滑动架上装有按照权利要求10的记录头，以及记录媒质的输送装置，

其特征是，上述墨汁喷射记录装置具有给记录头的半导体基片施加偏置电压的偏压装置。