[发明专利]场效应晶体管限制器电路

权利要求书

1、一种相对为正与相对为负的供电电位的源的组合，其特征在于包括：

一跨接于所述相对为正及相对为负的供电电位上的放大器(TP2、TN2)，它有一个用来施加输入信号的输入端和一个输出端。

具有其主导电通路并联耦合于所述放大器(TP2)的所述输出端与一电路输出端(OUT)之间的第一对晶体管(TN3、TP3)，其控制电极分别耦合到至少一个所述相对为正(V)及相对为负(GND)的供电源电位上，各自的主导电通路并联耦合于所述电路输出端(OUT)与一其值在相对为正(V)及相对为负(GND)电源电位间的基本恒定的基准电位点之间的第二对晶体管(TN4、TP4)，其控制电极分别耦合到至少一个所述相对为正及相对为负供电电位上。

2、如权利要求1所述的组合，其特征在于每对晶体管包括一P型场效应晶体管和一N型场效应晶体管，其栅极分别耦合到相对为负及相对为正的供电电位上。

3、如权利要求2所述的组合，其特征在于还包括：耦合在所述相对为正的供电电位与所述基准电位之间的第一电阻装置，以及耦合在所述基准电位点与用于产生所述基准电位的所述相对为负的供电电位之间的第二电阻装置。

4、如权利要求3所述的组合，其特征在于所述放大器包括：

安排成一个共源极放大器第一导电类型的第一场效应晶体管，以及

偏压为一电流源的相反导电类型的第二场效应晶体管，其中所述第一和第二场效应晶体管的主导电通路串联耦合在所述相对为正及相对为负的供电电位之间。

5、如权利要求1所述的组合，其特征在于还包括：

一低通滤波器，

一具有倒相和非倒相输入端及一输出端的差动放大器，

将所述低通滤波器与所述放大器串联耦合在所述差动放大器的输出端与非倒相输入端之间用来在所述差动放大器中提供直流反馈的装置，以及

用来对所述差动放大器的倒相输入端提供输入信号的装置。

6、如权利要求5所述的组合，其特征在于还包括一个耦合在输出端与所述差动放大器的倒相输入端之间的电容器。

7、如权利要求6所述的组合，其特征在于用来提供输入信号的所述装置包括：

第一与第二信号源，

其第一电极耦合到所述倒相输入端并具有第二电极的另一电容器，以及

将第一与第二信号源交替地耦合到所述另一电容器的第二电极的装置。