[发明专利]液晶器件基片的制备方法无效

专利信息
申请号: 90102570.4 申请日: 1987-08-07
公开(公告)号: CN1015940B 公开(公告)日: 1992-03-18
发明(设计)人: 山崎舜平;间濑晃;坂寄宽幸 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1343
代理公司: 中国专利代理有限公司 代理人: 张志醒
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 液晶 器件 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种液晶器件基片的制备方法。

液晶器件已作为显示器件而用于微型计算机、文字处理机和电视机等之中,这种显示器包括有一对基片,在二基片之间有液晶层,和用以向液晶层施加一电场的电极装置。电极装置被分成多个部分,这些部分形成显示器的象素。当适当的电压加在电极的某一特定部分时,液晶层的相应部分就受到一个电场的作用;换句话说,相对于电场的方向而言,或者不论是否施加电压,液晶将改变其光学特性,而后显示出图象或字符。

电极装置,举例说,包括多个设置在一基片内侧的X方向上的第一电极条,和设置在另一基片的相对内侧的Y方向上的多个第二电极条。这些电极条用掩模光致抗蚀剂通过印刷方法形成。即使电极的式样是比较简单的,光刻也必须特别精密地进行。因为这种印刷加工方法需要许多步骤,终于造成这种液晶显示器的价格上涨。

为了克服通常所存在的缺点,本申请人提出了一种改进的加工方法,在这种加工方法中,具有线状横截面的激光束照射制备在一基片表面上的除了其周缘外的透明导电薄膜上,然后利用蒸发除去该导电薄膜已受照射的线状部分,这样留下的导电薄膜就形成了电极或引线。用这种加工方法,省去了一个涂膜步骤,一个预烘干步骤,一个曝光步骤,一个显影步骤,一个后烘干步骤,一个蚀刻步骤和一个去除涂复的光致抗蚀剂的步骤。

根据现有技术,在为印刷电路板上的外部软性接头制备一连接区域的同时总是须要以特别高的精密度匹配一对基片和形成电极衬垫。由于这个原因,如图1的9所示,必须在邻近一面板的密封树脂层处设置一专门的边沿空白区。

图1示出现有技术的液晶显示器10的构型的横截面图。该液晶器件设置有多个沿与画面垂直的方向纵向伸长的第一电极条2′,和多个横向伸长的第二电极条2,以液晶层5设置在一对基片1与1′之间。在电极2及2′与密封部件6之间,设有一个边沿空白区9,这样设计使得密封部件6不会延伸到电极条2和2′处。如果密封部件6部分地遮掩电极条,那么液晶就要从面板的相应部分被挤走,因此相应的显示部分就不能够工作。边沿空白区9的宽度为例如3至5毫米。但该边沿空白区在制成的产品中并没有什么作用,反而与液晶板的净显示区域相比较,该边沿空白区使显示器的尺寸增大。

此外,在这种软性的电极电路里,电极条设置成相互之间的距离仅约为几百微米,因此需要特别仔细和很高的技术来匹配基片。这使造价由于降低了产量而变为昂贵。

因此,本发明的一个目的是提供一种液晶器件基片的制备方法。

本发明的另一个目的是提供一种具有较大有效区域的液晶器件。

本发明的再一个目的是提供一种小型的液晶器件。

本发明还有一个目的是提供一种容易制造的液晶器件。

图1示出一个现有技术液晶器件结构的横截面图。

图2所示是根据本发明的液晶器件的制造过程的方框图。

图3(A)至3(E)是表示激光束的横截面的说明图。

图4A至4D所示是根据本发明的液晶显示器的部分图。

现参照图2,说明根据本发明的光路装置的模型图。一基片,例如是玻璃基片,带有例如由二氧化锡(Eg.=3.5电子伏)制成的待加工处理的透明导电薄膜,该导电薄膜装在基底19上。相对于基片1,在基本上垂直于基片待加工的表面的一直线上设置一光学系统。用波长为248毫微米、光子能量为5.0电子伏特的激光束照射该基片。这一激光束是从一个使用氟化氪的准分子激光器17(eximer    laser,由Questec公司销售)发射出来,由扩束器16在一个方向上加以扩展,并经过由人造石英制成的凸柱面透镜14加以收缩,再通过掩模13成形。该激光束从准分子激光器发射出来时一般具有矩形横截面,假定效率是3%,从激光器17发射出来的激光束是350毫焦耳/秒。掩模是由石英方格玻璃制成,其内部表面部分地设置有遮蔽材料13′以形成一缝隙,使激光束通过该缝隙而成形。遮蔽材料最好是耐热材料,例如铬、二硅化钼(MoSi)或类似的材料。开始产生的激光束的截面积是16毫微米×300毫微米,然后在凸透镜14上被扩展到16毫米×300毫米。激光束在凸透镜14上的功率密度是7.3×10毫焦耳/平方毫米。因为光的能级距离是5.0电子伏特,故透明薄膜能有效地吸收光子能量,也能被有选择地除去。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/90102570.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top