[发明专利]高抗辐照氟化钡晶体的生长技术无效
| 申请号： | 90102828.2 | 申请日： | 1990-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1023240C | 公开（公告）日： | 1993-12-22 |
| 发明（设计）人： | 沈定中;殷之文;苏伟堂;潘志雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/02 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐照 氟化钡 晶体 生长 技术 | ||
【权利要求书】：
1、一种高抗辐照氟化钡(BaF2)闪烁晶体的生长技术，采用如下生长步骤：
(1)原料制备
(2)铂坩埚制作与生长炉准备
(3)晶体生长，按下列条件：
A.熔料：高出熔点约50℃，
B.温度梯度：20-30℃/mm
C.生长速率：0.8-1.6mm/小时
D.降温速率：20-30℃/小时
其特征在于：
(1)采用非真空的坩埚下降法
(2)采用以下生长技术：
A.原料制备：
a.用高纯钡盐和氢氟酸制备高纯BaF2原料，杂质含量达10-6级；
b.在140℃下脱水；
c.制备料锭：在氟塑料密封模具中，用静水压压制成锭。
B.铂坩埚制作与生长炉准备
a.铂金坩埚壁厚0.1-0.3mm；
b.氧气氛下降法生长炉，硅钼棒为发热元件；
c.炉底有辅助加热器。
C.晶体生长
装料：料锭装入铂坩埚后，充入惰性气体或含氟气体，焊封坩埚。
2、根据权利要求1和BaF2晶体生长技术，其特征在于所述的含氟气体是CF4，BF3，HF;惰性气体是氩气（Ar）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/90102828.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
