[发明专利]非晶硅光电池片及其制造法

权利要求书

1、由玻璃基底、透明导电膜、非晶硅层、铝膜背电极构成的外联集成小型非晶硅光电池片，其特征在于每个单元光电池片基底与非晶硅层之间的透明导电膜的形状相同，是在标准矩形膜的一角有一“L”型沟道，构成一个小的矩形，与原标准矩形之间有沟道相隔；

2、根据权利要求1所述的外联集成式小型非晶硅光电池，其特征在于所述的沟道宽度为0.05～0.4mm。

3、外联式小型非晶硅光电池片制造方法，其特征在于玻璃基底上制备均匀透明导电层后激光切割透明导电层为透明导电层集成图形，并洗净、干燥;在透明导电层上沉积非晶硅层（a-Si）后，激光切割非晶硅层为非晶硅集成图形，并吹净切削物然后用掩膜法或光刻腐蚀法加工铝膜背电极，经分装切割为单体小型非晶硅光电池片。