[发明专利]用自生真空工艺制造大复合体的方法

权利要求书

1.制造大复合体的方法，其步骤包括：

形成反应体系，其中包括选自铝、青铜、铜和铸铁的基体金属，选自空气和氮气的反应性气氛，不渗透容器，选自陶瓷或陶瓷涂布的填料的渗透物质，以及与所说渗透物质邻接的至少一种选自陶瓷体、陶瓷基体复合体、金属体、金属基体复合体及它们的组合物的第二种或附加物体；

至少部分密封反应体系以使其与外界的周围气氛之间形成净压差，由外加密封层、内部物理密封层和内部化学密封层中的至少一种达到所说的密封；以及

加热密封后的反应体系以使基体金属熔融，并使该熔融基体金属至少部分渗流过所说至少一种陶瓷或陶瓷涂布的填料的渗透物质，形成金属基复合体，该复合体整体联结或固结在所说至少一种第二种或附加物体上，从而形成大复合体。

2.权利要求1的方法，其中所说至少部分密封包括基本上完全将所说反应性气氛与所说周围气氛隔离开。

3.权利要求1的方法，其中所说净压差在所述熔融基体金属渗流入所说渗透物质时的至少一部分期间存在。

4.权利要求1的方法，其中所说至少部分密封是由外加密封层提供的，其中包括至少一种玻璃料。

5.权利要求1的方法，其中所说至少部分密封是由内部化学密封层提供的，其中包括所说基体金属和所说周围气氛的反应产物。

6.权利要求1的方法，其中所说至少部分密封是由内部物理密封层提供的，其中包括基体金属湿润不渗透容器。

7.权利要求1的方法，其中所说至少部分密封是由内部化学密封层提供的，其中包括所说基体金属和所说不渗透容器的反应产物。

8.权利要求1的方法，其中所说反应性气氛至少部分与所说基体金属、所说填料和所说不渗透容器中的至少一种反应，从而形成所说净压差。

9.权利要求1的方法，其中还包括提供阻挡层，该阻挡层限定至少一部分所说渗透物质表面。

10.权利要求9的方法，其中所说阻挡层包括至少一种选自碳、石墨、二硼化钛、氧化铝、二氧化硅和不锈钢的物料。

11.权利要求9的方法，其中所说阻挡层基本上不会被所说基体金属所湿润。

12.权利要求1的方法，其中所说基体金属包括铝，并且还包括至少一种湿润增强剂，该湿润增强剂包括至少一种选自镁、铋、铅和锡的物料。

13.权利要求1的方法，其中所说基体金属包括青铜和铜中的至少一种，并且还包括至少一种湿润增强剂，该湿润增强剂包括至少一种选自硒，碲和硫的物料。

 14.权利要求1的方法，其中所说陶瓷或陶瓷涂布的填料包括陶瓷填料，该填料包括至少一种选自氧化物、碳化物、硼化物和氮化物的物料。

15.权利要求1的方法，其中所说不渗透容器包括至少一种选自陶瓷、金属、玻璃和聚合物的物料。

16.权利要求1的方法，其中所说基体金属包括选自铝、铜和青铜的物料，而不渗透容器包括不锈钢。

17.权利要求15的方法，其中所说不渗透容器包括氧化铝或碳化硅。

18.权利要求1的方法，其中所说反应体系的温度高于所说基体金属的熔点，但低于所说基体金属的挥发点和所说填料的熔点。

19.权利要求1的方法，其中所说密封反应体系加热到：当所说基体金属包括铝时，约700-1000℃；当所说基体金属包括青铜或铜时，约1050-1125℃；而当所说基体金属包括铸铁时，约1250-1400℃。

20.权利要求14的方法，其中所说陶瓷填料包括至少一种选自氧化铝、碳化硅、氧化锆、氮化钛、碳化硼和其混合物的物料。

21.权利要求1的方法，其中进一步包括定向固化所说大复合体中至少所说金属基体复合体成分。