[发明专利]一种金属-半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 90104646.9 | 申请日： | 1990-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1014755B | 公开（公告）日： | 1991-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘训春;王润梅;叶甜春;曹振亚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L29/52 | 分类号： | H01L29/52;H01L29/784;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京林业大学专利事务所 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1、一种利用金属栅电极侧壁绝缘膜进行自对准制造MESFET的结构，其特征在于，它以GaAs作基片，其金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于它与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度。
2、按照权利要求1所述MESFET的结构，其特征为，所述MESFET是增强型MESFET。
3、按照权利要求1和2所述MESFET的结构，其特征为，所述侧壁绝缘膜是SiO2膜。
4、按照权利要求1、2和3所述MESFET的结构，其特征为，所述在金属栅电极与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜是经一次淀积的一层SiO2膜，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜是经两次淀积的两层SiO2膜。
5、按照权利要求1所述MESFET的结构，其特征为，所述金属栅电极是利用在有机膜侧壁上贴附的金属膜形成的。
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