[发明专利]氢敏元件及制造法

权利要求书

1、一种氢敏元件制造方法，在于将常规工艺制作的包括氢气在内的易燃性气体金属半导体氢敏元件在特定的有机硅盐类气氛中熏陶作表面改质处理，在金属氧化物半导体氢敏元件上自然生长一层二氧化硅氢气透过膜，所说的特定气氛是指温度在100-500℃，改质液浓度30-100%的密封气室，成膜后在600～650℃热处理；

2、根据权利要求1所述的氢敏元件制造方法，其有机硅盐类是从二氯硅烷-SiH₂CL₂，三甲基氯硅烷（CH₃）SiCL₄或正硅酸乙酯Si（OC₂H₅）₄材料中选择出一种，

3、一种按权利要求1或2所述方法制备的氢敏元件，该元件具有包括氢气在内的易燃性气体敏感的金属氧化物半导体敏感膜，以及在所述的敏感膜上附有一层可透过氢气的二氧化硅膜，其特征在于所述可透过氢气的二氧化硅膜的厚度为10-1μm;

4、根据权利要求3所述的氢敏元件，其特征在于所述的气敏元件是烧结型，薄膜型，平面型或集成型金属氧化物半导体气敏元件中的一种类型;

5、根据权利要求3、4所述的氢敏元件，其特征在于改质处理的气敏元件，可以是SnO₂、ZnO₂、γ-Fe₂O₃半导体气敏元件;

6、一种如权利要求3所述氢敏元件，其特征在于所述的可透过氢气的二氧化硅膜的厚度为250。