[发明专利]光生伏特器件及其制造方法

权利要求书

1、一种光生伏特器件，包括：

一个具有被一绝缘表面包围着的多个相互隔开的导电表面的基片，

第一光生伏特单元，具有一个单晶层区域复盖着各导电表面，从而形成多个第一光生伏特单元，

所述单晶层区域是彼此隔离设置的，其特征在于：一个复盖着所述多个第一光生伏特单元的第二光生伏特单元。

2、根据权利要求1所述的光生伏特器件，其特征在于：所述第二光生伏特单元包含一种非晶材料。

3、根据权利要求1所述的光生伏特器件，其特征是：所述第二光生伏特单元具有一包含一种微晶材料的层区。

4、根据权利要求1所述的光生伏特器件，其特征是：所述各导电表面的成核密度比所述绝缘表面的成核密度大，且所述各导电表面的大小为直径4μm或小于4μm。

5、根据权利要求1所述的光生伏特器件，其特征在于：在所述各导电表面上设置有直径为4μm或小于4μm的一些材料，该材料具有比所述那些导电表面及所述绝缘表面的成核密度更大的成核密度。

6、一种作出光生伏特器件的方法，包括：

通过汽相沉积，将晶体生长方法用于一具有一非成核表面和多个成核表面的基片上，所述多个成核表面具有比所述成核表面成核密度更大的成核密度，并且具有一足够小的尺寸，以使仅形成一个单核，由此单核生长一个单晶，

作出多个具有一些单晶层区域的第一光生伏特单元，使得那些单晶层区域是彼此隔离的，

作出一复盖着所述多个第一光生伏特单元的第二光生伏特单元。

7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述各成核表面就是衬底材料的表面，而所述非成核表面是绝缘层的表面。

8、根据权利要求6所述方法，其特征在于：所述非成核表面是衬底材料的表面和绝缘层的表面，而所述成核表面是具有比所述非成核表面成核密度更大成核密度的、材料的表面。

9、一种用作出权利要求6所述光生伏特器件的方法作出的光生伏特器件。