[发明专利]晶片校角与研磨一体化的方法和装置

权利要求书

1、一种晶片校角与研磨一体化的方法，精确测定每个晶片的切角误差的大小，其特征是根据晶片切角误差的大小采用相应的倾斜度的系列标准斜面的基板，用腊或其他沾贴剂将同样切角误差的晶片沾贴固定在基板的下表面相应倾斜度的系列标准斜面上，将沾贴固定好晶片的基板放在研磨机(双轴研磨机、四轴研磨机或六轴研磨机)的研磨盘上，把研磨机的铁笔插在基板凹槽中，用以压紧和拨动基板，然后开机进行研磨，由于基板的系列标准斜面的倾斜度与需校角与研磨的晶片切角误差大小相一致，先在研磨盘上加以粗研磨砂进行研磨，使研磨后的晶片表面与基板上表面平行，使晶片磨成一个楔形，楔形的斜度等于基板的系列标准斜面的倾斜度，继而再用细研磨砂进行研磨，使晶片的光洁度达到设计要求，使晶片的校角与研磨一同完成。

2、一种在普通研磨机上装以基板组成的晶片校角与研磨一体化的装置，其特征是基板的下表面具有各种不同倾斜度的系列标准斜面，且在每块基板的背面制有供研磨机铁笔压紧和拨动基板用的一个以上的凹槽。

3、如权利要求2所述的晶片校角与研磨一体化的装置，其特征是基板的系列标准斜面的倾斜度在0～2°之间，可以在同一块基板上只制有一个倾斜度或者分段制有不同的几个倾斜度的系列标准斜面。

4、如权利要求2所述的晶片校角与研磨一体化的装置，其特征是所述的基板是用瓷板或其他材料加工制成。