[发明专利]一种制造卫生瓷的方法无效
申请号: | 90106718.0 | 申请日: | 1990-08-10 |
公开(公告)号: | CN1058768A | 公开(公告)日: | 1992-02-19 |
发明(设计)人: | 卢东明 | 申请(专利权)人: | 湖北非金属地质公司;枝城市建筑陶瓷厂 |
主分类号: | C04B33/16 | 分类号: | C04B33/16;C04B33/24 |
代理公司: | 湖北省专利事务所 | 代理人: | 王守仁 |
地址: | 430030*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制造 卫生 方法 | ||
本发明涉及建筑陶瓷领域,特别是一种制造卫生瓷的方法。
在国外,近几年除采用新型节能窑炉及高级保温耐火材料外,对低温烧成卫生陶瓷也进行了大量的研究。美国,苏联采用霞石正长岩和珍珠岩等助熔剂制造卫生陶瓷,成功地将烧成温度降为1150-1200℃。日本以绢云母为助熔剂,使烧成温度降为1150-1180℃。在国内,我国建材行业消耗的燃料在全国占第四位,这是因为国内大多数卫生陶瓷厂的窑炉陈旧,又没有找到新型节能材料,所用原料仍以石英岩为主,故目前烧成温度高达1250-1280℃,和国外相比,差距是很大的,这不仅燃料费用高(约占成本的30%),而且因原料坚硬,需经粗碎、中碎和球磨三道工序,从而使得加工工时长、成本高、能耗大和矽尘多。
本发明的目的是针对上述不足之处,提供一种改进的制造卫生瓷的方法,即利用现有设备和技术,采用新方法进行低温烧成卫生瓷,从而有效地节能和降低成本。
本发明的目的是这样实现的:在其坯料的配方中,以绢云石英片岩作原料,并且在1150-1180℃温度下烧成。
上述的坯料配方中,含有(重量百分比):绢云石英片岩23-35,紫木节16-24,高岭土5-10,江湾土10-21,长石16-24,石英8-12,滑石1-3,瓷粉(废瓷料)3-10。
上述的绢云石英片岩的球磨时间可以是10-16小时,以16小时为好。
绢云石英片岩为白色、灰白色、灰绿色及灰黄色,质地疏松,易破碎,属鳞片变晶结构、片状构造。经X-衍射分析、差热分析、红外光谱电子显微镜观察及岩矿鉴定等分析研究,其矿物主要组成成份为绢云母、石英、长石、高岭土、蒙脱石等。其中(百分比):绢云母15-35,石英45-70,长石5-10,高岭土5-10,蒙脱石5-8,并含有少量的白云母和水云母等。矿石化学成份为(%):SiO272-80,Al2O310-15,Fe2O30.5-1.7,TiO20.1-0.3,CaO0.15-0.4,MgO0.5-1.0,K2O2.4-4.8,Na2O0.15-1.5,烧失量1.4-3.0。
绢云母石英片岩矿具有成瓷的多功能组份,如绢云母、长石及白云母和水云母矿物均可起助熔作用,颗粒极细的石英是坯体成瓷的良好骨架料,高岭土、蒙脱石又增强了坯体的可塑性,这些有益成份聚集于一体,不仅使之成为一种制造低温陶瓷坯料的好原料,而且加工性能极好,可省却传统原料加工时的粗碎和中粗两道工序,直接进入球磨工序。
本发明由于用绢云石英片岩取代了现有大生产中的大部分石英、长石和少量粘土,所以优点明显:一、节能:减少了两道工序后,可省电50%;烧成温度降低了100℃后,可节煤15%。二、原料加工时间的缩短,不仅增加了产量和降低了成本,而且减轻了矽尘的危害和环境污染。三、因其泥浆性能稳定,吃浆较快和滤过性能良好,所以成型质量较高,即脱模后坯体挺实,强度高,易加工,不易裂,合格率高。四、因其矿源丰富、埋藏浅、易于露天开采的特点,所以原料成本较现有的矿石成本约低20%。
下面结合实施例对本发明作进一步说明:
实施例中的卫生瓷产品的制造过程,完全是按照常规大生产的工艺进行的。
一、坯料
(一)配方(%):
上述配方中,以配方2效果最佳。
(二)化学组成(%):
SiO265.87,Al2O318.26,Fe2O31.11,TiO20.20,CaO1.37,MgO0.91,K2O2.43,Na2O1.55,烧失量7.38。
(三)泥浆性能及烧成温度:
料∶球∶水=1∶2.2∶0.38
粒度(250目万孔筛余)<0.3%
水份:28-32%
PH 8-9
比重:1.79-1.82
相对流动性:12.1
厚化度:1.32
球磨时间:16小时
烧成温度:1150-1180℃
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北非金属地质公司;枝城市建筑陶瓷厂,未经湖北非金属地质公司;枝城市建筑陶瓷厂许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/90106718.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。