[发明专利]采用微波等离子法连续制成大面积功能淀积薄膜的方法以及适用该方法的设备

权利要求书

1、一种采用微波等离子CVD工艺连续形成大面积淀积薄膜的方法，所述方法其特征在于包括以下步骤：

在纵向上连续移动基片带；

通过弯曲并凸起所述移动基片带以形成所述成膜室圆周壁的圆筒部分，从而建立具有成膜空间的基本封闭的成膜室，在该成膜空间内或附近设置一个微波施加装置，该微波施加装置包含一个波导管，该波导管具有穿透其一侧面的小孔，还具有两个相对的端部，其中一个端部与一个微波源相连接，所述的微波施加装置封装在由微波传导材料制造的隔离装置内；

通过气体输送装置将成膜原材料气体引入所述成膜空间；

与此同时，通过采用微波施加装置的上述小孔将微波能辐射或传播到所述成膜空间，其中微波施加装置能够在垂直于微波传播方向上具有方向性地辐射或传播所述微波能，以在所述成膜空间产生等离子区，由此在暴露于所述等离子区的所述连续移动圆周壁的内表面上连续形成一层淀积薄膜。

2、按照权利要求1的方法，其特征在于，成膜室被构造得不允许辐射或传播到成膜空间的微波能量泄漏到所述室的外面，并且将所产生的微波等离子区限制在成膜空间区内。

3、按照权利要求1的方法，其特征在于，圆筒形部两个侧面之中的每一个侧面是通过能够阻止微波能从其泄漏的构件来密封的。

4、按照权利要求1的方法，其特征在于，圆筒形部分借助一个支撑和传送滚轮通过弯曲和移动被支撑的基片带来形成的，其中在所述滚轮对之间在纵向留有所需宽度的间距，并且圆筒形部分两侧端部的每端均由支撑传送环来支撑。

5、按照权利要求4的方法，其特征在于，圆筒部分两侧面的每个侧面均由能阻止微波能从其泄漏的元件来密封的。

6、按照权利要求4的方法，其特征在于，微波能靠近间距设置的微波施加装置并通过该间辐射或传播到成膜空间内。

7、按照权利要求6的方法，其特征在于，将微波施加装置密封在由微波传输材料制成的隔离装置中。

8、按照权利要求1的方法，其特征在于，微波施加装置是以与成膜室圆周壁相平行的位置设置在成膜空间中。

9、按照权利要求1的方法，其特征在于，成膜空间保持在所需气压下。

10、按照权利要求4的方法，其特征在于，成膜空间的气体通过间距来抽空。

11、按照权利要求1的方法，其特征在于，圆筒部分的内表面保持在所需温度下。

12、按照权利要求1的方法，其特征在于，能够加热或冷却基片带的温度控制机构设置在圆筒形部的外面附近。

13、按照权利要求1的方法，其特征在于，进一步包括控制微波等离子区电势的步骤。

14、按照权利要求13的方法，其特征在于，控制微波等离子区电势的步骤是通过采用与基片带隔开的偏压施加装置来完成的。

15、按照权利要求14的方法，其特征在于，所述偏压施加装置放置在成膜空间内，使得至少所述装置的部分与所产生的微波等离子区相接触。

16、按照权利要求15的方法，其特征在于，将DC、AC或脉动电流的偏压施加到偏压施加装置上。

17、按照权利要求14的方法，其特征在于，偏压施加装置还可用作气体输送装置。

18、按照权利要求14的方法，其特征在于，偏压施加装置包括一根或多根偏压母线。

19、按照权利要求13的方法，其特征在于，控制微波等离子区电势的步骤是通过施加到基片带上的偏压来完成的。

20、按照权利要求19的方法，其特征在于，气体输送装置是电气接地的，并且放置在成膜空间内，致使至少所述装置的部分与所产生的微波等离子区相接触。

21、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的微波能量是一种渐消失的微波能量。