[发明专利]在可磁化体上形成磁化区域的装置无效

专利信息
申请号: 90107446.2 申请日: 1990-08-30
公开(公告)号: CN1044942C 公开(公告)日: 1999-09-01
发明(设计)人: 马克·E·拉克鲁瓦 申请(专利权)人: 托林顿公司
主分类号: H01F13/00 分类号: H01F13/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳,张志醒
地址: 美国康*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁化 形成 区域 装置
【权利要求书】:

1.一种在可磁化体形成一系列磁化区域的装置,包括:一个充磁导体;一个电流脉冲源,将电流脉冲通过所述充磁导体以产生一个磁场;其特征在于:两个磁场阻尼装置,其每一个为相对充磁导体在异侧方向上等距离布置的第二电导体,后者的定位能使由流过充磁导体的脉冲产生的磁场在靠近所述磁场阻尼装置处受到阻尼,从而使流过充磁导体的电流脉冲产生一个磁场,该磁场将穿过靠近充磁导体的那部分可磁化体,并基本上不穿过靠近阻尼装置的那部分可磁化体。

2.根据权利要求1的装置,其特征在于:一个用以在其上安装充磁导体的支承体。

3.根据权利要求1的装置,其特征还在于:每个第二电导体在水平方向及垂直方向上相对充磁导体等距离布置。

4.根据权利要求1的装置,其特征还在于:支承体包括:多个隔开的凸块对多个隔开的槽定位,充磁导体被放置在一个槽中,第二电导体被放置在相邻的槽中。

5.根据权利要求1的装置,其特征还在于:支承体包括:多个隔形的凸块,充磁导体缠绕在一个凸块上;第二电导体缠绕在相邻的凸块上。

6.一种在可磁化体形成一系列磁化区域的装置,包括:一个充磁导体;一个电流脉冲源,将电流脉冲通过所述充磁导体以产生一个磁场;其特征在于:一个磁场阻尼装置,该磁场阻尼装置包括:一个改变磁场的隔离件,它具有两个在水平方向上隔开的凸块;每个凸块是相对充磁导体在异侧方向上等距离布置的,后者的定位能使由流过充磁导体的脉冲产生的磁场在靠近所述磁场阻尼装置处受到阻尼,从而使流过充磁导体的电流脉冲产生一个磁场,该磁场将穿过靠近充磁导体的那部分可磁化体,并基本上不穿过靠近阻尼装置的那部分可磁化体。

7.根据权利要求6的装置,其特征还在于:一个用以在其上安装所述充磁导体的支承体。

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