[发明专利]具有低待用电耗的功率控制器无效

专利信息
申请号: 90107677.5 申请日: 1990-09-10
公开(公告)号: CN1050651A 公开(公告)日: 1991-04-10
发明(设计)人: 托马什·帕坦尤斯 申请(专利权)人: 联合信号股份有限公司
主分类号: H02P1/22 分类号: H02P1/22
代理公司: 上海专利事务所 代理人: 吴淑芳
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 待用 电耗 功率 控制器
【说明书】:

发明涉及一种直流电动机的功率放大器或控制器,尤其涉及一种具有近零待用电耗的装置。

以前,是用半导体器件装置来完成直流电动机的控制的。图1a-c是一种由4个开关SW1-4组成的半导体功率控制器,用以控制通常用字母M表示的电动机或负载。在断开状态,开关SW3和SW4闭合,在马达M两端施加一短路箱位。本技术领域中的人都知道,在电枢控制永磁直流电动机中,动态制动是通过把直流马达的两端A和B短路来实现的。负载或马达的正向转动则通常闭合开关SW1和SW4来实现。在这种情况下,电流将从A端流向B端。闭合开关SW2和SW3,则使电流从B端向A端作反向流动,从而使负载或马达换向。利用图1中的电路,可以构成一个基本的半导体功率控制器。如图2a所示,控制器应用了金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)。图2a示出的是N型MOSFET,但也可用P型MOSFET,如果是P型MOSFET,所描述的电流方向中的电压极性将反转。图2c示出了一种用P型MOSFET的互补对称电路。

MOSFET一般包括三个作用电极,即一个栅极G,一个漏极D和一个源极S。图2a中在用作开关SW1的晶体管Q5上注明了这三个极。众所周知,MOSFET晶体管Q5还包括一个对应于晶体管基体或基片的一个极(B)。参见图1和图2a,开关SW1-4通过四个MOSFET晶体管Q5、Q6、Q13和Q14来实现。负载如马达M连接在A端和B端之间,A端和B端分别是各个晶体管对Q5-Q13和Q6-Q14的源极和漏极之间的连接点。

从图2a中可以看出,晶体管Q5和Q6的漏极连接到正电位(+V),晶体管Q13和Q14的源极连接到负电位(-V)。如果本发明应用在移动的场合,电压源可以用汽车用蓄电池来提供,+V等于B+,-V等于地电位。晶体管Q13的栅极接收24端的逻辑信号/FWD,晶体管Q14的栅极接收26端的另一个逻辑信号/REV。逻辑信号/FWD和/REV从+V变到-V作双态变化。FWD和REV信号上的一划(-)是表示互补逻辑信号的符号。本附图中这种符号写在基本信号的上面,然而,在书面的说明书中,逻辑补码信号就被打印成/FWD,/REV等。逻辑信号/FWD和/REV被分别连接到电荷泵汲(charge  pump)电路22a和22b。这些电荷泵汲电路22a和22b也受在C端接收到的电荷泵汲驱动信号的控制。这些电荷泵汲电路的输出端分别连接到晶体管Q5和Q6的栅极。应当理解,要把如图2a所示的MOSFET器件翻转成导通状态,需要在栅极施加高于相应源极电压的电位。这个功能由电荷泵汲电路来实现。简单地说,这个电路就是产生一个大于正电位+V的输出信号的电路。图2b图示了一种连接到正电位和负电位的基本电荷泵汲电路22a。该电荷泵汲电路22a包括电容器C1、二极管D1和D3和一通常以SWT表示的开关。如电路22a所示的电荷泵汲电路由可以是如下所示的/FWD、/REV信号或类相似信号之一的控制信号来控制。在栅极和负电位-V之间的电容CG(虚线所示)表示如Q5或Q6的MOSFET器件的栅极和源极之间的等效输入电容。开关SWT是一个单刀双掷开关,它使电容器C1的一侧交替地在正电位和负电位(+V和-V)之间转换。当开关SWT闭合与负电位(-V)接通时,电容器C1将通过二极管D1充电,最接近开关SWT的一端被充负电。当然接近两二极管连接点的另一端将被充正电。当开关拨至和正电位+V接触时,等效栅-源极电容CG将通过二极管D1和D3充电至正电位+V电平,并且,存贮在电容器C1的电压也通过二极管D3对电容CG充电,这样,电容CG两端的电压将近似等于VCG=2*V*C1/(C1+CG)。在下一次泵汲期间,电容CG两端电压将再增加,这一过程一直持续到等效电容CG两端电压近似等于两倍的正电位。上述关系可以近似地表达为VCG=2*V*(1-aK),其中a=CG/(C1+CG),k是充电泵汲的次数。因为a<1,当k增加时,aK趋向于0,VCG趋向于2V。众所周知,根据实际情况可以理解,器件Q5或Q6的栅-源极电容在加到负载M上的电源电压关闭时就必须立即放电,也就是说这将在晶体管Q13和Q14同时接通和当/FWD=+V及/REV=+V时发生。另外,在如图2a所示的电路的非驱动侧的另一个电荷泵汲22b不应被触发,即,在/FWD驱动信号情况下的晶体管Q6一侧或在/REV驱动信号情况下的晶体管Q5一侧不应被触发。例如,在FWD(正向)状态,即/FWD=-V,晶体管Q5和Q14导通,电荷泵汲在Q5一侧上实现。如果在Q6一侧上也实现了电荷泵汲,Q6也将导通。那种情况下,导通的晶体管Q6和Q14将在+V和-V线之间形成接近短路的状态。简单地说,(回到图2a)图中所示的/FWD和/REV信号将驱动负载或马达(M)正向转动。当然信号将翻转以驱动马达反向转动,如果/FWD=/REV=+V,马达不动或停止。

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