[发明专利]晶片形式的α－氧化铝大结晶体及其制法

权利要求书

1．由过渡氧化铝或水合氧化铝和一种助熔剂制备基本上呈单晶六角形片晶形式的α-氧化铝大结晶体的方法，其中该片晶具有直径为2至20μm，厚度为0.1-2μm和直径/厚度比为5至40，该方法的特征在于使用其熔点最高达到800℃和含有化学键合的氟以及能在熔融状态下溶解过渡氧化铝或水合氧化铝的助熔剂，并在该助熔剂存在下在900-1200℃对过渡氧化铝或水合氧化铝进行煅烧。

2．根据权利要求1的方法，其中所制备的基本上呈单晶六角形片晶形式的α-氧化铝大结晶的片晶是具有直径为2至10μm和厚度为0.1至1μm的α-氧化铝大结晶的片晶。

3．根据权利要求1的方法，其特征在于该助熔剂主要含有一种或多种不可水解的氟化物或者含有一种系统，该系统含有包括所说的一种或多种氟化物的一个相和包括一种可水解的氟化物的第二个相，而且，其中所说的一个相溶解在另一个相中。

4．根据权利要求3的方法，其特征在于该助熔剂包括一种系统，该系统由一方面为三氟化铝和另一方面为一种或多种碱金属氟化物或碱土金属氟化物所形成。

5．根据权利要求4的方法，其特征在于该碱金属氟化物或碱土金属氟化物是由氟化锂、氟化钠、氟化钾和氟化钙中选出。

6．根据权利要求3至5的任何一项权利要求所述的方法，其特征在于该助熔剂包括以Li₃AlF₃(锂冰晶石)形式的AlF₃-LiF,Li₃Na₃(AlF₆)₂(锂冰晶石)或3AlF₃·5LiF(锂锥冰晶石)。

7．根据权利要求3至5中任何一项权利要求的方法，其特征在于使用助熔剂的量相对于经过煅烧的过渡氧化铝或水合氧化铝的重量而言至少为2％。

8．根据权利要求7的方法，其中所使用的熔剂的量相对于经过煅烧的过渡氧化铝或水合氧化铝的重量而言为4-20％。

9．根据权利要求6的方法，其特征在于使用的熔剂的量相对于经过煅烧的过渡氧化铝或水合氧化铝的重量而言至少为2％。

10．根据权利要求9的方法，其中所使用的该熔剂的量相对于经过煅烧的过渡氧化铝或水合氧化铝的重量而言为4-20％。

11．根据权利要求3至5中任何一项权利要求的方法，其特征在于过渡氧化铝或水合氧化铝包括一种粉末，其中至少50％(重量)的颗粒其直径小于50μm，所述的氧化铝具有的比表面积大于100m²/g。

12．根据权利要求6的方法，其特征在于过渡氧化铝或水合氧化铝包括一种粉末，其中至少50％(重量)的颗粒其直径小于50μm，所述的氧化铝具有的比表面积大于100m²/g。

13．根据权利要求7的方法，其特征在于过渡氧化铝或水合氧化铝包括一种粉末，其中至少50％(重量)的颗粒其直径小于50μm，所述的氧化铝具有的比表面积大于100m²/g。

14．根据权利要求7的方法，其特征在于氧化铝含有最高达到15％(重量)的水。

15．根据权利要求3至5中任何一项权利要求的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。

16．根据权利要求6的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。

17．根据权利要求7的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。

18．根据权利要求11的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。

19．根据权利要求13的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。