[发明专利]整片串联和并联的光电组件无效
申请号: | 90108675.4 | 申请日: | 1990-09-07 |
公开(公告)号: | CN1023433C | 公开(公告)日: | 1994-01-05 |
发明(设计)人: | 罗伯特·奥斯瓦德;约翰·蒙根;佩吉·韦斯 | 申请(专利权)人: | 索拉雷斯公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张志醒,叶凯东 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 串联 并联 光电 组件 | ||
1、一种薄膜光电器件,包括:
一块公共基底;
布置在所说基底上的一层前接触层,该前接触层含有由第一划刻线分开的许多段,从而形成了一个子组件;
布置在所说前接触层上的一层半导体材料薄膜;
布置在所说半导体材料薄膜上的一层后接触层,所说的后接触层是被沿着相邻于所说的第一划刻线所对应的第二划刻线划刻了的,以便将所说的子组件划分成许多光电池;
将相邻的所说前接触层的区域和所说后接触层的区域互连起来的内连线,用以使所说子组件的所说许多光电池串联起来;
将所说子组件的所说串联连接的许多光电池的相对两端分别电连接起来的第一和第二连线;以及
通过内连至少两个所说子组件的各第一连线和内连所说至少两个子组件的各第二连线,将所说至少两个子组件互相并联的公共母线;
其特征在于所说薄膜光电器件还包括:
第三划刻线,该划刻线环绕每一个所说的子组件和所说的第一及第二连线,使所说的各子组件间在所说的公共基底上彼此电绝缘开来,并且
第一及第二连线和所说的公共母线均与所说的前接触层连接。
2、如权利要求1所说的薄膜光电器件,其特征在于,其中所说的半导体材料薄膜是被沿着布置在所说第一和第二划刻线之间的第四划刻线划刻了的;并且
其中所说的内连线包含所说后接触层的一部分,该部分布置在所说第四划刻线内,且与所说前接触层的所说相邻区域接触。
3、如权利要求1所说的薄膜光电器件,其特征在于,其中所说的基底是由透明材料形成的;
其中所说的前接触层是由透明导电氧化物形成的;而
其中所说的第一和第二连线以及所说的公共母线均包含包括银、铜、镍、铝、金、铂、钯、或其混合物的导电材料。
4、如权利要求1所说的薄膜光电器件,其特征在于,其中所说的半导体材料薄膜是被沿着与所说第三划刻线一起使所说公共母线电绝缘的第四划刻线划刻了的。
5、如权利要求1所说的薄膜光电器件,其特征在于,其中所说的每一个子组件具有至少1平方英尺数量级的面积。
6、如权利要求5所说的薄膜光电器件,其特征在于,其中所说的串联连接的子组件有不高于12至15伏左右的电压输出。
7、如权利要求1所说的薄膜光电器件,其特征在于,其中所说的第三划刻线完全环绕着所说子组件和所说第一及第二连线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的