[发明专利]漂移型非晶硅光电阴极无效
| 申请号： | 90109222.3 | 申请日： | 1990-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1024234C | 公开（公告）日： | 1994-04-13 |
| 发明（设计）人： | 海宇涵;陈远星;臧宝翠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/16 |
| 代理公司： | 中国科学院专利事务所 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漂移 型非晶硅 光电 阴极 | ||
【权利要求书】：
1、漂移型非晶硅光电阴极，有基片(1)和铯-氧敏化层(6)，其特征是在基片(1)上涂复透明导电膜(2)，在透明导电膜上沉积n型和p型非晶硅膜(3)和(4)，在P型非晶硅膜(4)上蒸涂铝或银膜(5)，在铝或银膜(5)上复盖铯一氧敏化层(6)。
2、按权利要求1所述的光电阴极，其特征是n型非晶硅膜的厚度为0.3-1.5μm，P型非晶硅膜的厚度为0.1-0.5μm。
3、按权利要求1所述的光电阴极，其特征是铝或银膜的厚度为50-200。
4、按权利要求1所述的光电阴极，其特征是基片（1）为透光材料或金属片。
5、按权利要求1或4所述的光电阴极，其特征是透光材料为玻璃、石英或宝石。
6、按权利要求1所述的光电阴极，其特征是透明导电膜（2）是SnO2、ITO或簿金属膜。
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