[发明专利]一种压点腐蚀剂及刻蚀工艺无效
| 申请号： | 90109884.1 | 申请日： | 1990-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1062431A | 公开（公告）日： | 1992-07-01 |
| 发明（设计）人： | 罗如忠;邓其明 | 申请（专利权）人： | 国营风光电工厂 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 558024*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀剂 刻蚀 工艺 | ||
【权利要求书】：
1、一种压点腐蚀剂及刻蚀工艺其特征在于由纯度为分析纯或优于分析纯的硫脲(N2H4CS)，六次甲基四胺(C6H12N4)作为铝(Al)的有机阻蚀剂用于半导体器件生产工艺中的压点铝层的保护。
2、根据权利要求1，本腐蚀剂的成份由氟化铵（NH4F），乙二醇[（CH2OH）2]，冰乙酸（CH3COOH），硫脲（N2H4CS），六次甲基四胺（C4H12N4）和去离子水（H2O）所组成，其配比范围为：
成份 配比范围
NH47-15%（重量）
（CH2OH）220-40%（重量）
CH3COOH 15-30%（重量）
N2H4CS 0.1-1.5%（重量）
C6H12N40.1-2%（重量）
H2O 20-50%（重量）
3、根据权利要求1，其工艺特征是在常规压点刻蚀工艺基础上，腐蚀槽中须设置气体（N2）鼓泡或机械搅拌装置，且须液温保持在28-42℃之间的任一恒温状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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