[发明专利]高性能α相碳化硅晶须的制造方法在审
| 申请号： | 90110010.2 | 申请日： | 1990-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1053271A | 公开（公告）日： | 1991-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李建保;黄勇;王林;陈少荣;吴建光;彭刚 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C04B35/80 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 碳化硅 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种高性能2H相碳化硅晶须的制造方法，其特征在于用含硅化合物为原料，将原料放入石墨坩埚容器内，加热至一定温度，高温下含硅化合物分解产物和石墨蒸发产物在保护气氛中形成2H相碳化硅晶须。
2、一种如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的含硅化合物是氮化硅或碳化硅粉末。
3、一种如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的含硅化合物中，硅含量的重量百分比在30%～70%。
4、一种如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的加热温度为1600℃～1950℃。
5、一种如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的形成晶须的保护气氛是氮气、氩气、氢气三种气体中的一种或其混合物。
6、一种如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的保护气体，其压力为1～20大气压。
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