[发明专利]在氢(或同位素)等离子体中的核聚变进行控制的装置无效

专利信息
申请号: 90110450.7 申请日: 1990-12-11
公开(公告)号: CN1062427A 公开(公告)日: 1992-07-01
发明(设计)人: 瓦格内尔·瓦内克·马丁斯;艾迪森·吉尔伯托·多米盖斯·达·西尔瓦 申请(专利权)人: 圣保罗大学
主分类号: G21C7/36 分类号: G21C7/36
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 邹光新
地址: 巴西*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 同位素 等离子体 中的 聚变 进行 控制 装置
【说明书】:

发明涉及一种用于起动和控制核聚变反应的装置(以下简称为“超导接合器”),特别是为起动和控制氢(或,同位素)等离子体中核聚变反应,以便提供一种实际上非放射性的,可以使用的功率输出,例如,热电厂的功率输出。

本发明装置的运行,基本上根据两种物理性能。第一个性能是,众所知的并涉及装置中超导材料的磁性行为。第二个性能为本发明人所发现而涉及通常围绕超导线圈形成的,反应和感应电能的集积和储存。该超导线圈是由一个开关电源控制,在氢(或同位素)等离子体中放电,以便起动,实质上非放射性的,具有可靠功率输出的受控核反应,它可以用来装备一个相对地来说不昂贵,而在技术和环境上可接受的热电厂。

超导性是由荷兰物理学家H、K奥纳(HeiKe  Kamerlingh  Onner)在1911年首先发现的,他指出:在极低温度时某些金属可能没有任何种电阻而导电。

图1表示正常的和超导金属的电阻随温度的变化。多数金属的电阻是连续地变化。但是,超导金属在一定临界温度“Tc”时,出现突然的变化,使其电阻实际上变为零。图2表示由导线所制成的超导线圈1,置于杜瓦瓶2里,浸没在液体氦中3。该导线可以由开关4短路。随着所说开关4打开和第二开关5关闭,由电流6所提供的电源“i”,在室温下就通过正常的铜导体7,流过所说的线圈1。

在这种条件下电流“i”通过所说的超导线圈1并产生磁场“H”,该磁场能由处于所说杜瓦瓶2外面的磁针8检测出来。接着关掉所说开关4并打开开关5,这样所说的超导线圈1就被短路,而由电源6来的电流“C”就停止。但是,可以看出,磁针仍然呈现原来那样相同的偏转,尽管实事上电源6已经断开,还是检测到所说电流“i”通过所说的超导线圈1流动。该电流“i”现在称为“持续电流”,保持恒定达数小时,没有引起磁针8偏转的任何改变,直到保温瓶2中的液态氦3完全蒸发,实验上证明:超导线圈1一点也不出现任何电阻。

实事上,对这些超导材料,除了温度“T”和外磁场“H”外,还应该考虑到由其磁感应“B”表示的超导体内部的磁场。这三个变量(“T”、“H”、“B”)在苗卡完座标中,确定了一个限定的临界表面区域,如图3所示,它将在所说表面下方的无阻抗“超导性”区域与处于所说表面上方的“正常电阻”区域分开来。

图4表示在感应平面“B=0”的情况下,图3临界表面的断面表示为一个近抛物线的曲线,该曲线将所说的金属为超导体的区域与正常的导体区域划分开。在图4中,在“临界点”“Tc”下,很小的磁场“H”就足以毁坏,在某些材料中可能呈现的“超导传导性”。不同材料之间临界点温度的变化,汞是4.1°K、镉为0.56°K、镍为9.0°K等等。在这些条件下,低于“Tc”温度小的减少,例如M,纵使有磁场“H”存在,该金属也将维持其超导性,只要磁场保持在其临界值之下,现在临界值是“Hc”。

另一方面,所说的临界值“Hc”沿轴T=0°K上的位置也随材料而变化,这些值对于汞、镉和镍分别是400、30和1,700奥斯特。因此,与垂直线“MPN”相应的等温线,可以表示成图5所示那样的“H×B”图,其中,对于“H<Hc”来说,超导体完全容易排开内磁场,就是说,“B=0”并成为一种良好的抗磁性材料,如图6a所示。对于“H=Hc”就是说,当外磁场“H”等于临界磁场值“Hc”时,正常相和超导相两者可以共存(图5中的破折线)。当“H>Hc”,超导恢复到其正常的电阻状态,这里“B=H”如图5所示(45°倾斜的直线)和图6b所示。换句话说,在超导球内,磁场被材料排开(图6a),而这种效应叫作梅斯纳效应。但是如果磁场增强直到比临界场“Hc”更大,它穿过该材料并毁坏其超导性(图6a和b)。

再参见图4,考虑矩形“ABCD”并假设一个空心的超导球,最初位于点“A”如果该球沿所说矩形从“A”到“B”到“C”到“D”移动,然后沿另外的路线,即从“A”到“D”到“C”到“B”运动,其磁性行为将如下:在线段“AB”温度将降低,具有零的外磁场。而当球通过“Tc”时其电阻就变为零。在线段“BC”上围绕该球的磁场,将由零增加到某个比其临界值小的值“C”。由于该球现在处于超导状态,外磁场的增加,就由该球表面上超导电流减小所补赏而磁通就不能透过该球,它的作用就象一种理想的抗磁材料。这就造成磁力线绕球的赤道聚集,因为很容易通过合适的装置探测出来。在下一个线段“CD”,球将以具有常数值的外磁场加热从“C”到“D”,这样,表面上超导电流将逐渐消失。当它沿着从“C”到“D”的路径,通过点p时,球的超导条件被破坏,而外磁场在该点上透过该球,而在点“D”内,外磁场有相同的值,即“B=H”。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣保罗大学,未经圣保罗大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/90110450.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top