[发明专利]用于磁光记录的氧化锌或氧化铟基层的铂或钯/钴多层薄膜

权利要求书

1、一种磁一光记录介质，它包括有：基底、溅射在所说基底上的氧化锌或氧化铟基层、以及溅射在所说氧化锌或氧化铟基层上的多层记录薄膜，其特征在于：其中所说氧化铟或氧化锌基层厚约200埃到约4500埃(约20毫微米到约450毫微米)，所说多层记录薄膜是铂/钴多层薄膜或钯/钴多层薄膜，是由铂或钴或钯和钴的交替层组成，所说基底对用于记录和读出的辐射是透明的，并且在溅射所说多层薄膜时所用的溅射气体是氩、氪、氙或其混合物。

2、按照权利要求1所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说基层是氧化锌。

3、按照权利要求2所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说多层记录薄膜是铂/钴多层薄膜;是由铂和钴交替层组成的。

4、按照权利要求3所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说的铂/钴多层薄膜的所有所说的钴层,基本上具有相同厚度dCo,并且所说的铂/钴多层薄膜的所有所说的铂层,基本上具有相同的厚度dPt,dCo小于12埃(1.2毫微米)左右,dPt小于24埃(2.4毫微米)左右,并且铂/钴多层薄膜的总厚度小于750埃(75毫微米)。

5、按照权利要求4所述的磁-光记录介质,其特征在于:dCo是从2埃左右到5埃左右(0.2到0.5毫微米)和dPt/dCo是从1左右到5左右。

6、按照权利要求2所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说氧化锌基层是由200埃左右到2000埃左右厚。(20毫微米左右到200毫微米左右)。

7、按照权利要求6所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说多层记录薄膜是由铂和钴交替层组成的铂/钴多层薄膜。

8、按照权利要求7所述的磁光记录介质,其特征在于:所说铂/钴多层薄膜的所有所说钴层,基本上具有相同的厚度dCo和所说铂/钴多层薄膜的所有所说铂层,基本上具有相同的厚度dPt,dCo是小于12埃(1.2毫微米)左右,dPt是小于24埃(2.4毫微米)左右,并且铂/钴多层薄膜的总厚度是小于750埃(75毫微米)左右。

9、按照权利要求8所述的磁光记录介质,其特征在于:dCo是由2埃左右到5埃左右(0.2到0.5毫微米左右)和dPt/dCo是由1左右到5左右。

10、按照权利要求2所述的磁光记录介质,其特征在于:溅射所说多层薄膜时,所用的所说溅射气体,是氪、氙或其混合物。

11、按照权利要求10所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说溅射气体的气压是2毫乇左右到12毫乇左右(0.27到1.6帕左右)。

12、权利要求要求11所述的磁光记录介质,其特征在于:所说多层记录薄膜是由铂和钴交替层组成的铂/钴多层薄膜。

13、按照权利要求12所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说铂/钴多层薄膜的所有所说钴层,基本上具有相同的厚度dCo,和所说铂/钴多层薄膜的所有所说铂层,基本上具有相同厚度dPt,dCo是小于12埃左右(1.2毫微米左右)dPt是小于24埃(2.4毫微米)左右,而铂/钴多层薄膜的总厚度小于750埃(75毫微米)左右。

14、按照权利要求13所述的磁-光记录介质,其特征在于:dCo是由2埃左右到5埃左右(0.2到0.5毫微米左右)和dPt/dCo是由1到5左右。

15、按照权利要求6所述的磁-光记录介质,其特征在于:溅射所说多层薄膜时所用的所说溅射气体是氪、氙或其混合物。

16、按照权利要求15所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说溅射气体的压力,是2毫乇左右到12毫乇左右(0.27左右到1.6帕左右)

17、按照权利要求16所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说多层记录薄膜,是由铂和钴交替层组成的铂/钴多层薄膜。

18、按照权利要求17所述的磁-光记录介质,其特征在于:所说铂/钴多层薄膜的所有的所说钴层,基本上具有相同厚度dCo和所说铂/钴多层薄膜的所有的所说铂层,基本上具有相同厚度dPt,dCo是小于12埃(1.2毫微米)左右,dPt是小于24埃(2.4毫微米左右),以及铂/钴多层薄膜的总厚度,是小于750埃(75毫微米)左右。