[发明专利]制造单晶硅的装置

权利要求书

1、一种制造单晶硅的装置，该装置含有内盛硅熔液的转动式石英坩埚，从侧面加热上述石英坩埚的电阻加热体，将上述石英坩埚内熔融的硅分隔成单晶生成部分和原料熔解部分的且带有使熔融液可单方向流动的小孔的石英制隔离件，覆盖前述隔离件和前述原料熔解部分的保温罩，向前述原料熔解部分连续提供硅原料的原料供应装置，以及使炉内压力减至0.1大气压以下的减压装置，其特征在于：

所说的保温罩在高于加热体上端的位置设置开口，该开口的总面积大于所说的保温罩下端和硅熔液液面间形成的间隙面积，而且所说的保温罩是由金属板制成的。

2、根据权利要求1所述的装置，其特征在于所说的开口被分成多个。

3、根据权利要求1所述的装置，其特征在于在所说的开口的上方或下方，设置用金属板构成的热屏蔽件。

4、根据权利要求3所述的装置，其特征在于所说的热屏蔽件设在所说的保温罩开口的上方，且装在所说的保温罩上，在所说的保温罩的炉内圈侧所说的保温罩与所说的热屏蔽件相距2cm以上、8cm以下。

5、根据权利要求3所述的装置，其特征在于所说的热屏蔽件设在所说的保温罩开口的下方，且由该开口悬垂支撑着，在所说的保温罩的炉外圈侧所说的保温罩与所说的热屏蔽件相距2cm以上、8cm以下。

6、根据权利要求1所述的装置，其特征在于所说的开口面积的总和为50～1000cm²。

7、根据权利要求3所述的装置，其特征在于所说的热屏蔽件设在所说的保温罩开口的上方且装在保温罩上，由2个以上的倾斜层状件构成，每个层状件配置成在垂直方向上无直通间隙。