[发明专利]用于半导体存储器的传感放大器驱动电路

权利要求书

1、一种用于驱动多个传感放大器的传感放大器驱动电路，所述每个传感放大器由两个P-MOS晶体管和两个N-MOS晶体管组成，该传感放大器驱动电路包括：

一个用于通过其输入端接收有效恢复启动信号Φ_sp并产生一个有效恢复驱动信号ΦLAp的有效恢复驱动电路，所述有效恢复驱动电路连接在所述传感放大器和电源端V_CC之间，

一个用于通过其输入端接收传感启动信号Φ_SN并产生一个传感驱动信号ΦLA_N的传感驱动电路，所述传感驱动电路连接在传感放大器和接地端V_SS之间，

其特征在于：

所述有效恢复驱动电路包括：

一个含有一个或多个驱动P-MOS晶体管和另一个用于调节驱动晶体管电流量的P-MOS晶体管的镜象电流电路，

一个根据有效恢复启动信号Φ_SP控制镜象电流电路的操作的反相电路，所述反相电路包括一个P-MOS晶体管和一个N-MOS晶体管，

一个N-MOS晶体管，它作为所述镜象电流电路的恒定电流源并通过其栅极接收偏置电压Vbias，其漏极连接到反相电路N-MOS晶体管的源极，源极连接到接地端V_SS，

由此控制有效恢复驱动信号ΦLA_P的电位使得信号ΦLA_P的波形具有线性上升的斜率，

所述传感电路包括：

包含一个或多个驱动N-MOS晶体管和另一用于调节驱动晶体管的电流量的N-MOS晶体管的镜象电流电路，

一个含有-N-MOS晶体管和一P-MOS晶体管、按照传感启动信号Φ_SN控制镜象电流电路工作的反相电路，以及

一个作为所述镜象电流电路的恒定电流源并通过其栅极接收偏置电压Vbias、其源极连接到所述所相电路P-MOS晶体管的漏极、漏极连接到外部电源端V_CC的P-MOS晶体管，

由此控制传感驱动信号ΦLA_N的电位使得信号ΦLA_N的波形具有线性下降的斜率。

2、如权利要求1所述的传感放大器驱动电路，其特征在于：加到作为所述镜象电流电路的恒定电流源的所述MOS晶体管栅极的偏置电压Vbias保持在外部电源电压V_CC和地电压V_SS之间的中间电平。

3、一种包括配置有连接在传感放大器与外部电源端V_CC之间的一个或多个驱动P-MOS晶体管的有效恢复驱动电路、用于驱动多个传感放大器的传感放大器驱动电路，它包括：

一个含有与所述驱动P-MOS晶体管一起形成的镜象电流电路、用于根据有效恢复启动信号Φ_SP控制所述驱动P-MOS晶体管的栅极电压V_LAPG以便调节所述晶体管的电流强度的偏置电路，

一个由差分放大器电路和恒定电流源组成，用来检测传感放大器锁存结点的电压V_LAP并将检测结果与基准电压V_REF比较的比较电路，以及

用于将偏置电路触发为高或低状态以便响应比较电路输出而激发或断开偏置电路的触发电路，

借此将有恢复电压箝位到恒定电平（约4V）的内部电压而不管外部供电电压。

4、如权利要求3所述的传感放大器驱动电路，其特征在于：所述偏置电路含有：

一个连接到所述驱动P-MOS晶体管栅极、用于与所述驱动P-MOS晶体管一道形成镜象电路电路的P-MOS晶体管，

一个包括-P-MOS晶体管和-N-MOS晶体管、用于根据有效恢复启动信号Φ_SP控制镜象电流电路工作的反相电路，以及

一个用于作为所述镜象电流电路的恒定电流源并通过其栅极接收偏压Vbias、其漏极连接到反相电路N-MOS晶体管源极而源极连接到接地端的N-MOS晶体管。