[发明专利]太阳能选择性吸收膜及制备方法无效
申请号: | 91103789.6 | 申请日: | 1991-06-18 |
公开(公告)号: | CN1018021B | 公开(公告)日: | 1992-08-26 |
发明(设计)人: | 郭信章;尹万里;于凤勤 | 申请(专利权)人: | 北京市太阳能研究所 |
主分类号: | F24J2/48 | 分类号: | F24J2/48 |
代理公司: | 北京市科技专利事务所 | 代理人: | 谢小延 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 选择性 吸收 制备 方法 | ||
1、一种太阳能平板集热器及热管式真空管集热器金属板芯的太阳能选择性吸收膜,其特征在于在光亮处理过的金属吸热板芯上沉积一层铝-氮-氧金属陶瓷型渐变膜,厚度为0.1×10-6-0.5×10-6m,再在其上沉积一层氧化铝减反射保护膜。
2、根据权利要求1所述的太阳能选择性吸收膜,其特征在于金属吸热板芯为铝、铜及它们的合金。
3、一种太阳能平板集热器及热管式真空管集热器金属板芯的太阳能选择性吸收膜的制备方法,其特征在于将经过清洗和光亮处理过的金属作为基体放入具有轰击清洗,负偏压及烘烤加热装置的磁控溅射镀膜机中,抽真空,在氩气中将基体加热,进行轰击清洗;然后给基体加负偏压,同时给阴极铝靶通电溅射,逐渐通入反应气体氮和氧,随着镀膜时间的增加,逐渐减小负偏压加大氧气和氮气的流量;当基体上铝-氮-氧金属陶瓷型渐变膜沉积到需要厚度时,停止供氮,继续通入氧气;当在铝-氮-氧金属陶瓷型渐变膜上沉积一层氧化铝减反射保护膜后停机。
4、根据权利要求3所述的太阳能选择性吸收膜的制备方法,其特征在于反应气体氧气为10-30cm3/s,氮气为20-100cm3/s。
5、根据权利要求3所述的太阳能选择性吸收膜的制备方法,其特征在于金属基体加热温度为100-200℃。
6、根据权利要求3所述的太阳能选择性吸收膜的制备方法,其特征在于氩气通入量为30-100cm3/s。
7、根据权利要求3所述的太阳能选择性吸收膜的制备方法,其特征在于磁控溅射镀膜机中抽真空为0.1×10-2-1×10-2pa。
8、根据权利要求3所述的太阳能选择性吸收膜的制备方法,其特征在于负偏压为300-100V。
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