[发明专利]金属薄膜形成方法

权利要求书

1.半导体装置的金属薄膜形成法，该方法包括，在半导体基片的主表面上形成绝缘膜的工序，

在该绝缘膜上设置开孔部分以使上述半导体表面露出的工序，

在上述开孔部分内淀积由以Al作为主要成为的第1金属构成的单晶的工序，

在由上述第1金属构成的单晶上和上述绝缘膜上形成以Al作为主要成分的第2金属薄膜的工序，以及

加热以第1金属构成的单晶作为籽晶的上述第2金属薄膜，以使其至少一部分单晶化的工序，

根据利用甲基氢化铝CVD法在所述开孔内选择性地淀积第一金属构成的单晶，因而整平第一金属构成的单晶表面和所述绝缘膜的工序。

2.如权利要求1的金属薄膜形成法，其特征是，通过CVD法，用二甲基氢化铝气体和氢气，在上述开孔部分内选择性地淀积Al单晶，以它作为由上述第1金属构成的单晶。

3.如权利要求1或2的金属薄膜形成法，其特征是，在上述第2金属薄膜上进而形成第2绝缘膜，然后再进行上述加热步骤。

4.如权利要求1或2的金属薄膜形成法，其特征是，在550℃以上加热上述第2金属薄膜。

5.如权利要求3的金属薄膜形成法，其特征是，在550℃以上加热上述第2金属薄膜。

6.如权利要求4的金属薄膜形成法，其特征是，用电阻加热法来加热上述的第2金属薄膜。

7.如权利要求4的金属薄膜形成法，其特征是，用辐射加热法来加热上述第2金属薄膜。

8.如权利要求4的金属薄膜形成法，其特征是，用激光束加热法来加热上述第2金属薄膜。

9.如权利要求4的金属薄膜形成法，其特征是，用电子射线加热法来加热上述第2金属薄膜。

10.如权利要求4的金属薄膜形成法，其特征是，用感应加热法来加热上述第2金属薄膜。

11.如权利要求5的金属薄膜形成法，其特征是，用电阻加热法来加热上述的第2金属薄膜。

12.如权利要求5的金属薄膜形成法，其特征是，用辐射加热法来加热上述第2金属薄膜。

13.如权利要求5的金属薄膜形成法，其特征是，用激光束加热法来加热上述第2金属薄膜。

14.如权利要求5的金属薄膜形成法，其特征是，用电子射线加热法来加热上述第2金属薄膜。

15.如权利要求5的金属薄膜形成法，其特征是，用感应加热法来加热上述第2金属薄膜。

16.半导体装置的金属薄膜形成法，其特征是，该方法包括，在半导体基片主表面上形成绝缘膜的工序，

在该绝缘膜上设置开孔部分以使上述半导体表面露出的工序，

在上述开孔部分内选择性地淀积以Al作为主要成分的第1金属构成的单晶的工序，

在由上述第1金属构成的单晶上和上述绝缘膜上非选择性地形成以Al作为主要成分的第2金属薄膜的工序，

使上述第2金属薄膜非晶质化或微晶化的工序，以及

加热以第1金属构成的单晶作为籽晶的上述第2金属薄膜，以使其至少一部分单晶化的工序。

17.如权利要求16的金属薄膜形成法，其特征是，通过CVD法用二甲基氧化铝气体和氢气，在上述开孔部分内选择性地淀积Al单晶，以它作为由上述第1金属构成的单晶。

18.如权利要求16或17的金属薄膜形成法，其特征是，通过离子注入进行上述非晶质化或微晶化。

19.如权利要求16或17的金属薄膜形成法，其特征是，在上述第2金属薄膜上进而形成第2绝缘膜，然后进行上述加热操作。

20.如权利要求16或17的金属薄膜形成法，其特征是，在250℃以上加热上述第2金属薄膜。

21.如权利要求18的金属薄膜形成法，其特征是，在上述第2金属薄膜上进而形成第2绝缘膜，然后进行上述加热操作。

22.如权利要求18的金属薄膜形成法，其特征是，在250℃以上加热上述第2金属薄膜。

23.如权利要求19的金属薄膜形成法，其特征是，在250℃以上加热上述第2金属薄膜。