[发明专利]真空断路器的触头成型材料及其制造方法

权利要求书

1、一种由Cr-Cr-Bi合金制成的真空断路器的触头成形材料，其特征是：该触头成型材料包含重量百分比为20%-60%的Cr和占Cu与Bi总重量的0.05%-1.0%的Bi元素，其余部分质实上为Cu。

2、根据权利要求1的成形材料，其特征是，一个带有Cu颗粒间界的结构可局部再度熔化，该颗粒间界形成在该触头的表层上。

3、一种制造真空断路器触头成形材料的方法，其特征是，烧结Cr粉末并制备成一个骨架，用由Cu和Bi构成的一种渗透材料渗入所述的骨架中，所制材料含有20-60%（重量）的Cr，其余部分实质上是Cu和Bi，并且Bi占Cu和Bi总量的0.05-1.0%（重量），所述工艺步骤为：

在一个确定的压力下对该均匀弥散的Cu和Bi粉末的混合物进行模压;

然后在非氧化气氛下和一特定温度下将所得Cu-Bi绿色压块渗入所述骨架中;以及

冷却经渗透的合金得到用于真空断路器的触头成型材料，然后将之进行真空热处理，热处理温度为300-1083℃，所用真空压强为不大于10^-3乇，并使得被加工成为触头形状的触头成型材料的表层中的Bi大体上挥发掉。

4、根据权利要求3的方法，其特征是，所述渗透后所得合金具有一种结构，其中的Bi元素精细地和均匀地弥散在所述合金中。