[发明专利]封接玻璃组分以及含有该组分的导电性配方

权利要求书

1、一种封接玻璃组分，其中包括：(以重量百分比计)13-50%氧化铅、20-50%氧化钒、2-40%氧化碲、小于40%的氧化硒、小于20%的氧化铋、小于10%的氧化磷、小于5%的氧化铌、小于5%的氧化铜和小于10%的氧化硼。

2、按照权利要求1的封接玻璃组分，其中氧化碲的含量范围是9-30%。

3、按照权利要求1的封接玻璃组分，其中氧化铋的含量范围是1-5%。

4、按照权利要求1的封接玻璃组分，其中氧化铌、氧化磷、氧化铜和氧化硼的总含量不超过10%。

5、按照权利要求1的封接玻璃组分，其中氧化碲和氧化硒合在一起的总量范围2-40%。

6、一种封接玻璃组分，其中包括：（以重量百分比计）30-50%氧化铅、30-50%氧化钒、9-30%氧化碲、氧化碲与氧化硒之和的范围为2-40%、1-5%氧化铋以及氧化铌、氧化磷、氧化铜和氧化硼中其中一种或几种之和含量小于10%。

7、一种用于将半导体器件接合到陶瓷基板上的银玻璃糊，其中包括：（以重量百分比计）50-77%的银;8-34%的封接玻璃组分，该组分包括13-50%氧化铅、20-50%氧化钒、2-40%氧化碲、小于40%的氧化硒、小于10%的氧化磷、小于5%的氧化铌、小于20%的氧化铋、小于5%的氧化铜、小于10%的氧化硼;0.2-1.5%的树脂和触变胶以及10-20%有机溶剂。

8、按照权利要求7的银玻璃糊，其中所述的银包括碎片状的银和小于10%的粉状银。

9、按照权利要求7的银玻璃糊，其中氧化碲在封接玻璃组分中的含量范围是9-30%。

10、按照权利要求7的银玻璃糊，其中氧化铋在封接玻璃组分中的含量范围是1-5%。

11、按照权利要求7的银玻璃糊，其中在封接玻璃组分中氧化铌、氧化磷、氧化铜、和氧化硼的总含量不超过10%。

12、按照权利要求7的银玻璃糊，其中在封接玻璃组分中氧化碲和氧化硒的总含量范围是2-40%。

13、按照权利要求7的银玻璃糊，其中封接玻璃组分包括：（以重量百分比计）30-50%氧化铅、30-50%氧化钒、9-30%氧化碲、氧化碲和氧化硒的总量为2-40%、1-5%氧化铋和氧化铌、氧化磷、氧化铜和氧化硼中其中一种或几种之和的总量小于10%。