[发明专利]碘酸钾晶体的去孪去畴方法无效
| 申请号： | 91106528.8 | 申请日： | 1991-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1023822C | 公开（公告）日： | 1994-02-16 |
| 发明（设计）人： | 尹鑫;吕孟凯 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碘酸 晶体 去孪去畴 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种碘酸钾晶体的去孪去畴方法、其特征为先将正六棱柱KIO3晶体磨制加工成一长方体，其任一组对应棱磨平成平行平面作为该长方体的一对底面，所保留的原正六棱柱体的一对平行棱侧面作为该长方体的侧面，在晶体两端磨制成和棱相垂直的两平行平面为该长方体的两端面，此长方形晶体被置于去孪去畴装置中，先升温至235℃-250℃之间，恒温半小时，在侧面方向加压力，压力范围为2-15Kg/cm2，在底面方向上加高电压，当电流突增至10-90mA之间时，迅速降低电压，使电流减小至10-50μA之间，自然降温至190℃-210℃范围内，观察孪晶界和畴界不存在时，保持电场和压力不变，再次降温至室温，如仍能观察到孪晶界和畴界时，可重新将晶体升温至235℃-250℃之间，重复以上过程，直至晶体不存在孪晶和电畴为止。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征为升温速度为每小时50℃。
3、根据权利要求1所述的方法，其特征为在底面上所加高压范围为1000V-4000V之间。
4、根据权利要求1所述的方法，其特征为迅速降压至100V-500V之间。
5、根据权利要求1所述的方法，其特征为再次降至室温的降温速度为每小时25℃。
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