[发明专利]直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置无效

专利信息
申请号: 91107486.4 申请日: 1991-09-03
公开(公告)号: CN1060232C 公开(公告)日: 2001-01-03
发明(设计)人: 莫培根;谈惠祖;杜立新;范向群;吴巨 申请(专利权)人: 中国科学院上海冶金研究所
主分类号: C30B15/12 分类号: C30B15/12;C30B29/40
代理公司: 上海华东专利事务所 代理人: 季良赳
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 直拉法 生长 锑化镓单晶 方法 装置
【权利要求书】:

1、一种直拉法生长锑化镓单晶的方法,包括在单晶炉内装料、加热、锑化镓熔体去渣、及拉晶通常的双坩埚法直拉锑化镓单晶的方法,其特征在于在降下籽晶前:

Ⅰ.在Gasb多晶料或元素Ga、Sb料装入外坩埚后,将内坩埚挂在外坩埚上沿,并在机械手上安装好石英盖板和石英拨棒,

Ⅱ.当关闭单晶炉门并加热使外坩埚中的原料熔化及均匀化后,用机械手上的石英拨棒将内坩埚上的挂钩拨入外坩的L或反L形槽内,

Ⅲ.降下机械手上的石英压板,使内坩埚下沉,熔体通过底部小孔进入内坩埚,

Ⅳ.当内坩埚上的挂钩被压到外坩埚域反L形槽的底边时,用石英拨棒将内坩埚挂钩拨入外坩埚L形或反L形槽的横槽内,

Ⅴ.提起石英盖板,移开机械手,此外,

所述的双坩埚是石英的,内坩埚直径为75毫米,高55毫米;外坩埚直径为90毫米,高100毫米,内坩埚底部小孔直径为6毫米,

所述的L型挂钩长边长14毫米,短边长5毫米,外坩埚上部反L形槽宽5毫米,深45毫米,短边长15毫米,所说石英压板长75毫米,宽22毫米。

2、一种如权利要求1所述的直接法生长锑化镓单晶方法的装置,包括单晶炉及石英双坩埚,其内坩埚的底部有小孔,本发明的特征在于石英外坩埚上部开有三个或三个以上沿圆周对称分布的L形或反L形的槽,石英内坩埚的上沿有三个或三个以上沿圆周对称分布的挂钩,在单晶炉的掺杂用机械手上安装有石英盖板和石英拨棒。

3、按权利要求2所述的装置,其特征在于所说的外坩埚的L或反L形槽和内坩埚的挂钩都是三个,且都沿圆周呈120°对称分布。

4、按权利要求2所述的装置,其特征在于所说的石英内坩埚上的挂钩为形。

5、按权利要求2所述的装置,其特征在于石英双坩中的内坩埚直径为75毫米,外坩埚直径为90毫米,内坩埚底部小孔直径为6毫米。

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