[发明专利]高硅低碳规则晶粒取向硅钢的生产方法无效

专利信息
申请号: 91108401.0 申请日: 1991-10-29
公开(公告)号: CN1033653C 公开(公告)日: 1996-12-25
发明(设计)人: 杰里W·舍恩 申请(专利权)人: 阿姆柯股份有限公司
主分类号: C21D8/12 分类号: C21D8/12
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 全永留
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 高硅低碳 规则 晶粒 取向 硅钢 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种生产厚度为0.35mm-0.15mm或更薄的高硅、低碳规则晶粒取向硅钢的生产方法,其中所说的硅钢主要由(用重量%表示)碳少于0.07%,锰0.025%-0.25%,硫和/或硒0.01%-0.035%,硅3.0%-4.5%,铝小于100ppm,氮小于50ppm,如果需要,可添加硼和(或)铜及余量铁组成,所说的方法包括以下步骤:

先提供硅钢的热轧带,冷轧到中间规格,使所说的中间规格材料进行中间退火,将所说的硅钢冷轧到最后规格,在含氢的湿氛围下,于830°~845℃温度下,在足以使碳含量低达0.003%或更低的时间里脱碳退火,用诸如氧化镁的退火隔离剂涂覆所说的脱碳硅钢,使所说的硅钢在1200℃下最终退火24小时,以进行二次再结晶,其特征在于所说的中间规格材料保温温度约900℃-1150℃及保温时间为1秒-30秒下进行中间退火,然后,进行缓冷阶段,以每分钟小于835℃的冷却速度从保温温度冷却到540℃-650℃,再进行快冷阶段,以每分钟大于835℃的冷却速度冷却到315℃-540℃,接着水淬。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所说的硅含量为3.25-3.75%(重量)。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的热轧带退火在1010℃下保温30秒种,再空冷到室温来进行。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的方法包括使最终规格且在脱碳之前的所说硅钢经超快速退火处理,以每秒钟大于100℃的加热速度加热到大于675℃的温度的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的方法包括以保温时间为3-8秒进行所说的中间退火的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的方法包括以保温温度为900℃-930℃进行所说的中间退火的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的方法包括以保温温度为915℃进行所说的中间退火的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的方法包括以温度为595℃±30℃结束所说的缓冷阶段的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的方法包括以每分钟280℃-585℃的冷却速度进行所说的缓冷阶段的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的方法包括以每分钟1390℃-1945℃的冷却速度进行所说的快冷阶段步骤。

11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所说的方法包括以915℃保温温度及3-8秒保温时间进行所说的中间退火,以每分钟280℃-585℃的冷却速度进行所说的缓冷阶段,以595℃±30℃的温度结束所说的缓冷阶段,以及以每分钟1390℃-1945℃的速度进行所说的快冷阶段的步骤。

12.根据权利要求1所述的方法,其中所说的硅钢主要由(以重量%表示)碳小于0.05%,锰0.04%-0.08%,硫和/或硒0.015%-0.025%和硅3.25%-3.75%组成。

13.根据权利要求4所述的方法,其特征在于所说的方法包括使所说的超快速退火处理作为所说的脱碳退火的加热部分来达到的步骤。

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